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標簽 > 納微半導體
Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領域。
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納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應用等高功率、高壓應用領域。
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點,加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護...
充電器,已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結構是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
納微半導體發(fā)布采用GaNSense技術的 NV624x GaNFast半橋功率芯片
納微半導體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個GaN FET...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。
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