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標簽 > 納微半導體
Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領域。
近日,一年一度的行家說三代半年會“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”重磅召開。納微半導體憑借2
2024-12-13 標簽: 數(shù)據(jù)中心 SiC 納微半導體 430 0
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2024-12-09 標簽: 數(shù)據(jù)中心 AI 氮化鎵 354 0
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納微十年,氮化鎵GaNSlim上新,持續(xù)引領集成之勢
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集成之巔,易用至極!納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片
采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片,具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測功能,助力打造業(yè)
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納微半導體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認證
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全球最高功率密度!納微全新4.5kW服務器電源方案正式發(fā)布,輕松滿足AI數(shù)據(jù)中心增長的功率需求
納微氮化鎵和碳化硅混合設計電源能在最小尺寸下,為每個搭載AI GPU的機柜提升3倍功率 加利福尼亞州托倫斯2024年7月
2024-07-26 標簽: 電源 服務器 數(shù)據(jù)中心 1333 0
Navitas 成立于 2014 年,開發(fā)的超高效氮化鎵 (GaN)半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源,它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術以改善和更可持續(xù)的能源使用的關注,還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
GaN 的重要性與日俱增,因為它能夠提供比傳統(tǒng)硅半導體顯著改進的性能,同時減少提供該性能所需的能量和物理空間。GaN 技術將通過提高效率、降低清潔能源的成本以及減少制造功率半導體所需的材料和能源來加速向可持續(xù)未來的過渡。
Navitas 是 GaN 的行業(yè)領導者,在單個易于使用的集成電路 (IC) 中提供驅動、控制和保護。Navitas GaNFast IC是易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出”構建塊,可將開關速度提高 100 倍,同時將節(jié)能效果提高 40%。
通過選擇 Navitas GaN,產(chǎn)品開發(fā)人員能夠創(chuàng)建比以往更小、更輕、更快、更環(huán)保的電源轉換和電源管理解決方案。從智能手機、筆記本電腦和平板電腦的快速充電器到電視、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電動汽車和可再生能源發(fā)電,GaNFast IC 可實現(xiàn)最高能效、最高集成度和最高功率密度。
Navitas 的管理團隊在電力電子領域的創(chuàng)新和業(yè)務創(chuàng)造方面有著非凡的記錄。該公司由管理團隊和頂級風險投資家 Atlantic Bridge、Capricorn Investment Group 和 Malibu IQ 資助,他們都在建立對電子行業(yè)產(chǎn)生重大影響的業(yè)務方面擁有良好的記錄。
納微半導體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實現(xiàn)最佳充電效果
碳化硅(SiC)是一種新的“寬禁帶”功率半導體材料,正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片,應用于可再生能源、儲能、 微網(wǎng)、電動汽車和工業(yè)應用等高功率、高壓應用領域。
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅動器的所有優(yōu)點,加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護...
充電器,已經(jīng)成為每個人的生活必需品。充電器的結構是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時間,對消費電子企業(yè)和消費者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
納微半導體發(fā)布采用GaNSense技術的 NV624x GaNFast半橋功率芯片
納微半導體于2022年9月正式發(fā)布新一采用GaNSense技術的 NV624x GaNFast半橋功率芯片,作為全新一代產(chǎn)品,其集成了兩個GaN FET...
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度,使它具有非常細窄的耗盡區(qū),從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結構。
近日,一年一度的行家說三代半年會“2024碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”重磅召開。納微半導體憑借2024年優(yōu)異的應用和產(chǎn)品表現(xiàn),榮...
2024-12-13 標簽:數(shù)據(jù)中心SiC納微半導體 430 0
近日日,由世紀電源網(wǎng)主辦的第十五屆“亞洲電源技術發(fā)展論壇”于深圳盛大舉辦。上百余電源上下游企業(yè)和3000多名專業(yè)工程師匯聚一堂,共同交流電源技術最新研究...
近日, 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) ...
2024-12-09 標簽:數(shù)據(jù)中心AI氮化鎵 354 0
納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日宣布再次入選德勤北美高成長科技企業(yè)500強。全球不斷增長的市場和客戶對先進、高效、寬禁帶氮化鎵(GaN...
納微半導體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務器電源
唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術領導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日發(fā)布...
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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃晶晶)十年前納微半導體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒,成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場,幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品,也...
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2024-07-26 標簽:電源服務器數(shù)據(jù)中心 1333 0
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