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標(biāo)簽 > 硅基氮化鎵技術(shù)
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當(dāng)前軍事與航天領(lǐng)域是氮化鎵技術(shù)最大的市場(chǎng)。最早就是在美國(guó)國(guó)防部的推動(dòng)下,開(kāi)始了氮化鎵技術(shù)的研究,慢慢地就行成了現(xiàn)在GaN器件的市場(chǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì),軍事和航天領(lǐng)...
2023-02-12 標(biāo)簽:雷達(dá)硅基氮化鎵技術(shù)GaN器件 556 0
硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。
2023-02-12 標(biāo)簽:CMOS半導(dǎo)體硅基氮化鎵技術(shù) 1023 0
電機(jī)驅(qū)動(dòng)中氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用前景
通過(guò)采用電子馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或“電壓源逆變器”可實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的增強(qiáng)型控制,此類(lèi)驅(qū)動(dòng)器通常會(huì)產(chǎn)生可變頻率和幅值的三相交流電來(lái)控制馬達(dá)的速度、扭矩和方向。驅(qū)動(dòng)器采用...
2021-07-04 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT柵極 3033 0
AIX G5反應(yīng)器平臺(tái)5x200 mm硅基氮化鎵技術(shù)
愛(ài)思強(qiáng)股份有限公司推出最新產(chǎn)品AIX G5+,為其AIX G5行星式反應(yīng)器平臺(tái)提供5x200 mm硅基氮化鎵生長(zhǎng)專(zhuān)用設(shè)備?;谝钥蛻?hù)為中心的發(fā)展計(jì)劃,愛(ài)...
2012-07-25 標(biāo)簽:晶圓制造硅基氮化鎵技術(shù)愛(ài)思強(qiáng) 1566 0
硅基氮化鎵技術(shù)成熟嗎 硅基氮化鎵用途及優(yōu)缺點(diǎn)
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù),硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過(guò)程中,由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)...
2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵硅基氮化鎵技術(shù) 3452 0
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