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標(biāo)簽 > 電晶體
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Infineon MOSFET 于switch power應(yīng)用中軟/硬切換建議
當(dāng)電晶體開關(guān)時(shí)電壓和電流出現(xiàn)重疊時(shí),就會(huì)出現(xiàn)硬切換。這種重疊會(huì)造成能量損失,可透過提高di/dt和dv/dt將能量損失降至最低。然而,快速變化的di/d...
美國普渡大學(xué)研究人員發(fā)現(xiàn)一種衍生自稀有元素碲的極薄二維材料,可大幅提升芯片電晶體運(yùn)行效率
美國普渡大學(xué)研究人員發(fā)現(xiàn)一種衍生自稀有元素碲(tellurium)的極薄二維材料,可大幅提升芯片電晶體運(yùn)行效率,進(jìn)而提高電子設(shè)備(如手機(jī)、電腦)處理訊息...
英國科學(xué)家設(shè)計(jì)新型電晶體可讓可穿戴設(shè)備超低功耗運(yùn)行
英國劍橋大學(xué)(Cambridge University)日前推出新的電晶體設(shè)計(jì),可讓穿戴式等裝置利用周遭電晶體的電力作為能源供應(yīng)來源并可在1伏特下運(yùn)作且...
半導(dǎo)體FD-SOI制程的決勝點(diǎn)在14nm!
半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28納米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示,在制程微縮同時(shí),每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持...
FinFET教父預(yù)測:新電晶體點(diǎn)燃芯片產(chǎn)業(yè)未來
“不必?fù)?dān)心‘摩爾定律’走到盡頭,因?yàn)樵谡麄€(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖上還有許多好辦法?!北蛔u(yù)為“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美國舉行的“新思科技產(chǎn)品...
自從NEC研究人員飯島澄男(Sumio Iijima )在1991年首度發(fā)現(xiàn)碳奈米管(CNT)后,這方面的研究一直持續(xù)進(jìn)展。他形容碳奈米管是繼石墨稀、鉆...
打破成本“桎梏” 半導(dǎo)體業(yè)積極追尋替代新技術(shù)
隨著芯片制造的成本與復(fù)雜度不斷提高,使得今年成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整併以及尋找替代性技術(shù)創(chuàng)記錄的一年。在日前于美國加州舉行的IEEE S3S大會(huì)上,舉會(huì)的工程師...
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