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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開(kāi)后,D到S才會(huì)有電流流過(guò)。但實(shí)際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
鈮電容器和電解電容的區(qū)別 常見(jiàn)鈮電容器故障及解決方案
鈮電容器和電解電容的區(qū)別 鈮電容器和電解電容在多個(gè)方面存在顯著差異,以下是兩者的主要區(qū)別: 鈮電容器 電解電容 材料 使用高純度鈮作為陽(yáng)極,其上的絕緣五...
理想的MOS晶體管不應(yīng)該有任何電流流入襯底或者阱中,當(dāng)晶體管關(guān)閉的時(shí)候DS之間不應(yīng)該存在任何的電流。但是,現(xiàn)實(shí)中MOS卻存在各種不同的漏電流。漏電流一方...
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通電壓與漏電流之間的關(guān)系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對(duì)這一關(guān)系的分析: 一、MOS管的導(dǎo)通電壓 MO...
電容器漏電流測(cè)試是評(píng)估電容器性能的重要手段之一,它可以幫助我們了解電容器在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性和安全性。 1. 電容器漏電流測(cè)試的目的 電容器在電路中起著...
電容器漏電流是指在電容器內(nèi)部或外部由于各種原因?qū)е碌碾娏餍孤┈F(xiàn)象。這種現(xiàn)象可能會(huì)影響電容器的性能和使用壽命,甚至可能導(dǎo)致安全問(wèn)題。 電容器漏電流產(chǎn)生原因...
壓敏電阻以其獨(dú)特的電壓敏感特性,成為了電路保護(hù)與穩(wěn)壓的重要元件。其性能參數(shù)不僅決定了壓敏電阻的工作效果,更直接影響著整個(gè)電路系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性。因此,...
SOC(System on Chip,芯片上的系統(tǒng))芯片的測(cè)試是一個(gè)復(fù)雜且全面的過(guò)程,涉及多個(gè)參數(shù)和模塊。以下是對(duì)SOC芯片測(cè)試的主要參數(shù)和模塊的歸納:...
漏電斷路器(Residual Current Circuit Breaker, RCCB)是一種用于保護(hù)人身安全和電氣設(shè)備安全的重要電氣裝置。它能夠檢測(cè)...
貼片電容封裝大小的性能差異是存在的,并且這些差異在多個(gè)方面都有所體現(xiàn)。以下是對(duì)這些差異的具體分析: 1. 損耗與漏電流 封裝尺寸大的貼片電容 :損耗小,...
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ADS1263如何防止AD超壓輸入損壞AD,使用肖特基二極管就是有漏電流,有沒(méi)有什么更好的方法呢?
標(biāo)簽:AD數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器漏電流 219 1
5V低漏電流、2:1、雙通道精密模擬開(kāi)關(guān)TMUX1136數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-03-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬開(kāi)關(guān)漏電流 187 0
如何測(cè)試肖特基二極管性能 測(cè)試肖特基二極管性能的方法有多種,以下是一些常用的測(cè)試方法: 萬(wàn)用表測(cè)試法 : 將萬(wàn)用表選擇到二極管測(cè)試模式,或正向電壓模式。...
醫(yī)用漏電流測(cè)量裝置(YC9706-MD-N)漏電流的測(cè)試 深圳一測(cè)
產(chǎn)品概述: 醫(yī)用電氣設(shè)備漏電流的測(cè)量不同于一般的電流測(cè)量,泄漏電流所用的測(cè)量裝置需考慮到電流通過(guò)人體包括心臟時(shí)產(chǎn)生的生理效應(yīng)的測(cè)量。在IEC、GB970...
隨著移動(dòng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的快速發(fā)展,對(duì)低功耗的需求日益增長(zhǎng)。 1. 功耗的來(lái)源 ARM開(kāi)發(fā)板的功耗主要來(lái)源于以下幾個(gè)方面: CPU功耗 :包括動(dòng)態(tài)功耗和...
2024-11-05 標(biāo)簽:cpu物聯(lián)網(wǎng)arm開(kāi)發(fā)板 430 0
安科瑞ASJ漏電流繼電器如何在軌道交通地鐵車(chē)站配電系統(tǒng)中應(yīng)用
安科瑞徐赟杰18706165067 應(yīng)用背景 城市軌道交通設(shè)備門(mén)類(lèi)復(fù)雜、數(shù)量龐大、分布廣泛,在長(zhǎng)期連續(xù)運(yùn)行時(shí)存在火災(zāi)隱患。在國(guó)內(nèi)外的地鐵火災(zāi)中,因電氣原...
2024-09-09 標(biāo)簽:繼電器電流配電系統(tǒng) 309 0
陶瓷電容廣泛應(yīng)用于多種電路,其漏電流是重要參數(shù)。漏電流影響電路性能,主要源于陶瓷電介質(zhì)和電極材料的漏導(dǎo)。設(shè)計(jì)時(shí)需評(píng)估控制漏電流,一般越小越好,過(guò)大可能導(dǎo)...
電子產(chǎn)品使用久了可能出現(xiàn)漏電流問(wèn)題,影響性能。陶瓷電容雖性能穩(wěn)定,但工作過(guò)程中也可能產(chǎn)生漏電流,與內(nèi)部結(jié)構(gòu)、溫度、電壓和頻率等因素有關(guān),選擇時(shí)需考慮其漏...
基于VLPE技術(shù)的碲鎘汞p-on-n雙層異質(zhì)結(jié)材料與器件研究進(jìn)展
碲鎘汞(HgCdTe,MCT)紅外焦平面器件結(jié)構(gòu)包括本征汞空位摻雜n-on-p、非本征摻雜n-on-p、n-on-p臺(tái)面結(jié)器件、n?/p高密度垂直集成光...
納芯微宣布推出基于電容隔離技術(shù)的全新固態(tài)繼電器產(chǎn)品NSI7258系列
憑借在隔離技術(shù)領(lǐng)域的長(zhǎng)期耕耘,納芯微宣布推出基于電容隔離技術(shù)的全新固態(tài)繼電器產(chǎn)品NSI7258系列,該系列提供工規(guī)和車(chē)規(guī)版本。
2024-05-14 標(biāo)簽:固態(tài)繼電器漏電流電容隔離 2.6萬(wàn) 0
安科瑞ADL3000-KLH 21次諧波表 導(dǎo)軌式三相電度表 漏電流監(jiān)測(cè)
安科瑞 程瑜 1.功能 ADL3000導(dǎo)軌式多功能電能表,是主要針對(duì)電力系統(tǒng),工礦企業(yè),公用設(shè)施的電能統(tǒng) 計(jì)、管理需求而設(shè)計(jì)的一款智能儀表,產(chǎn)品具有精度...
金升陽(yáng)推出高性價(jià)比5W開(kāi)板電源LO05-10Bxx系列
針對(duì)家電、智能家居等民用行業(yè),金升陽(yáng)推出高性價(jià)比5W開(kāi)板電源LO05-10Bxx系列,該系列擁有寬輸入電壓:85-264VAC,內(nèi)置電容:裸機(jī)滿足EMI...
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