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標(biāo)簽 > 漏極電流
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結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)分指南
JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半...
2024-05-08 標(biāo)簽:場效應(yīng)管JFET并聯(lián)電容 1.1萬 0
如果MOS管處于米勒平臺的區(qū)間內(nèi),MOS管工作在哪個區(qū)?
MOS管的3種工作狀態(tài):截止區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))、可變電阻區(qū),這個想必大家都知道。但光知道這個還不太夠,還需要清楚進入相應(yīng)工作區(qū)的充分條件。
當(dāng)使用分立的JFET時,設(shè)計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應(yīng)。一般會使用平方律方程,作為JFET漏極電流特性的一個近似模型:I...
在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出,他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...
通過AM1波形,我們能看到二極管上有電流流過(一部分的電感電流,續(xù)流),二極管處于正偏狀態(tài)。
三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件,用基極電流的變化控制集電極電流的變化。
I D I_DID 為漏極電流的有效值,由于輸出波形是正弦波,所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
在普通的晶體管中,電流由電子與空穴搬運,其“具有兩種極性”,所以被稱為雙極性晶體管。與此相比,N溝道FET是由電子來搬運電流的,P溝道FET是由空穴來搬...
2024-02-05 標(biāo)簽:晶體管MOS場效應(yīng)晶體管 1730 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個主要部分組成:源極(S...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 1461 0
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