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標簽 > 漏極
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開關(guān)管通常具有三個引腳,分別為G(Gate,門極)、D(Drain,漏極)和S(Source,源極)。這三個引腳在開關(guān)管中扮演著不同的角色,共同決定了開...
P溝道場效應(yīng)管(P-channel Field-Effect Transistor,簡稱P-FET)的電流方向是半導(dǎo)體器件工作中的一個基本特性,它決定了...
2024-09-23 標簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管漏極 804 0
線性穩(wěn)壓器(LDO)是一種廣泛使用的電源管理器件,其主要功能是將輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過調(diào)整內(nèi)部功率管的導(dǎo)通程度來實現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)...
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡稱FET)是一種常用的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子線路中。在實際應(yīng)用中,我們經(jīng)常需要對場效...
2024-07-14 標簽:場效應(yīng)管線路板漏極 681 0
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標簽:二極管MOSFET場效應(yīng)晶體管 2084 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管漏極 1218 0
MOS管的結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/應(yīng)用
MOS管的結(jié)構(gòu)主要由三個區(qū)域組成:柵極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)。其中,柵極和漏極都是金屬電極,源極可以是金屬或半導(dǎo)體材料。
開關(guān)導(dǎo)通時,線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能(電流能量)。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時,就會在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來...
MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極(g)控制MOS管源極(s)和漏極(d)通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道,所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2023-05-16 標簽:開關(guān)電路MOS管漏極 1614 0
對于恒定Vds,Vgs越大,則溝道中可移動的電子越多,溝道電阻就越小,ID就越大。當(dāng)然這個Vgs大到一定值,電壓再大,ID的變化也不會再有太大的變化了。...
類別:電磁兼容設(shè)計 2024-06-17 標簽:緩沖器電壓漏極 236 0
利用RF包絡(luò)檢波實現(xiàn)漏極調(diào)制系統(tǒng)立即下載
類別:數(shù)字信號處理論文 2011-05-11 標簽:RF漏極包絡(luò)檢波 1071 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)中,直流電機因其高效、可控和可靠的特性而被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和消費產(chǎn)品中。MOS管因其高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻成為控制直流電機的理想選擇。...
柵極源級漏極分別是什么?模擬電路中柵極源級漏極的工作原理是什么
源極簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電.柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個高摻雜的...
三菱電機上市漏極效率達70%的MOSFET新品RD01MUS2B
三菱電機將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產(chǎn)品RD01MUS2B,適用于商用無線傳呼機及特定小功率無線傳呼機用功率放大器。新產(chǎn)品將于2011...
什么是漏極,場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?
什么是漏極,場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么? 漏極 場效應(yīng)晶體管(Field Effect
2010-03-04 標簽:漏極 5591 0
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