氮化鎵

如何驗證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標簽：氮化鎵程序GaN 720 0

針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

2023-07-04 標簽：SiC氮化鎵GaN 1007 1

商務部/海關總署發(fā)布對鎵、鍺相關物項實施出口管制

　　商務部 海關總署公告2023年第23號 關于對鎵、鍺相關物項實施出口管制的公告

2023-07-04 標簽：氮化鎵砷化鎵氧化鎵 317 0

GaN器件特性影響因素有哪些？

GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據(jù)說是新能源汽車市場，而非消...

2023-06-29 標簽：氮化鎵GaN華燦光電 658 0

車規(guī)級氮化鎵（GaN）技術有何優(yōu)勢？

作為電力電子領域的核心技術之一，基于GaN的電能轉換技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心等領域有廣泛應用，這對提高電能的高效利用及實現(xiàn)節(jié)能減排起著關鍵作用。

2023-06-29 標簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1107 0

三菱電機開發(fā)出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器

News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現(xiàn)4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統(tǒng)寬帶運行 將有助于實現(xiàn)無線電單元共享和基站節(jié)...

2023-06-27 標簽：功率放大器三菱電機氮化鎵 858 0

硬核拆解 | 拓爾微65W 2C1A氮化鎵多口快充

拓爾微電子自有品牌65W 2C1A氮化鎵快充，內(nèi)置協(xié)議芯片和降壓轉換器均為自家解決方案——IM2403、IM2406、TMI2286D，支持多種快速充電...

2023-06-25 標簽：芯片充電氮化鎵 1217 0

45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303

因為使用了合封氮化鎵芯片，所以電路設計很簡潔，降低設計和加工成本，整套方案性價比不錯，且各輸入輸出電壓和各個負載段都擁有極佳的效率，峰值效率高達93.6...

2023-06-19 標簽：控制器電路設計氮化鎵 924 0

45W氮化鎵快充全套方案！采用智融SW1123+SW1608+SW2303

45W氮化鎵快充全套方案

2023-06-17 標簽：電源芯片充電器 968 0

如何降低SiC/SiO?界面缺陷

目前，許多企業(yè)在SiC MOSFET的批量化制造生產(chǎn)方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。

2023-06-13 標簽：電容器MOSFETNAND閃存 761 0

iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢

大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSF...

2023-06-12 標簽：電源晶體管PFC 9486 0

寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

2023-06-12 標簽：充電器SiC氮化鎵 3748 0

全氮化鎵65W充電器充電寶二合一解決方案

智融科技是國內(nèi)較早進入高集成移動電源快充SOC芯片設計領域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關管等控制邏輯，支持數(shù)...

2023-06-12 標簽：充電器PWMsoc 1533 0

什么是氮化鎵半導體 氮化鎵半導體在產(chǎn)品上的具體應用

氮化鎵元件一個很大的優(yōu)勢在于它極快的開關速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向...

2023-06-08 標簽：功率器件氮化鎵無刷直流電機 725 0

SJ MOSFET的應用及與SiC和GaN的比較

超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業(yè)化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內(nèi)取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）...

2023-06-08 標簽：MOSFET功率器件SiC 3475 0

工程師兩難之氮化鎵GaN還是碳化硅SiC？到底該pick誰？

作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業(yè)界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...

2023-06-07 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1737 0

AMB活性金屬焊接陶瓷基板的性能及應用

第三代半導體（氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等）的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板...

2023-06-05 標簽：半導體功率器件氮化鎵 6346 0

淺談碳化硅流程的核心技術

一種是通過生長碳化硅同質外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領域的導電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長氮化鎵異質外延...

2023-06-03 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1621 0