氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

氮化鎵功率器件具有較低的導(dǎo)通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線通信、雷達(dá)和太陽(yáng)能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵...

2023-08-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 氮化鎵 3331 0

貼片Y電容有哪些規(guī)格可供選擇？

我們以前使用的Y電容主要是插件形式的，這幾年技術(shù)進(jìn)步很快，已經(jīng)有性能很不錯(cuò)的貼片式Y(jié)電容出現(xiàn)，比如科雅JK-ET系列的塑封貼片式Y(jié)安規(guī)電容器，已經(jīng)被大量...

2023-08-23 標(biāo)簽：電容器封裝氮化鎵 941 0

氮化鎵襯底和外延片哪個(gè)技術(shù)高襯底為什么要做外延層

氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、...

2023-08-22 標(biāo)簽：功率放大器半導(dǎo)體材料氮化鎵 4159 1

氮化鎵技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀分析

GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs) 器件的十倍。GaN器件的更高功率密度使其能夠提供更寬的帶寬，更高的放大器增益和更高的效率,這是由于器件外圍更小。

2023-08-21 標(biāo)簽：放大器導(dǎo)通電阻氮化鎵 498 0

氮化鎵外延為何不生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上？

第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì)，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看，第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀，因此，第3代半導(dǎo)體的...

2023-08-18 標(biāo)簽：led 半導(dǎo)體氮化鎵 791 0

電腦電源為什么不用氮化鎵氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟(jì)上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個(gè)主要因素是成本。目前，GaN的制造...

2023-08-17 標(biāo)簽：充電器功率器件氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

什么是第三代半導(dǎo)體技術(shù) 碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)分析

第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在...

2023-08-11 標(biāo)簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1194 0

幾種led襯底的主要特性對(duì)比氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。作為襯底，GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...

2023-08-10 標(biāo)簽：led 功率器件氮化鎵 1772 0

GaN與SiC功率器件的特點(diǎn) GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器 SiC 氮化鎵 1084 0

氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)難點(diǎn) 氮化鎵有源相控陣?yán)走_(dá)優(yōu)點(diǎn)

GaN器件具有高功率密度和高熱耗散特性。在有源相控陣?yán)走_(dá)中，需要高功率的射頻信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)每個(gè)天線元素，這要求對(duì)高功率GaN器件的射頻功率和熱管理進(jìn)行有效的...

2023-08-08 標(biāo)簽：射頻信號(hào)氮化鎵 GaN 7661 0

襯底工程對(duì)氮化物L(fēng)ED的影響研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-08 標(biāo)簽：led 激光器發(fā)光二極管 381 0

氮化鎵和碳化硅誰(shuí)將贏得寬帶隙之戰(zhàn)？

氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。

2023-08-07 標(biāo)簽：led照明充電器氮化鎵 1442 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...

2023-08-02 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵 GaN 765 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 2205 0

氮化鎵電源發(fā)熱嚴(yán)重嗎氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)

　相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)榈壘哂休^低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅...

2023-07-31 標(biāo)簽：電源電阻氮化鎵 7754 0

慧能泰USB PD3.1快充方案匯總

2021年5月份，USB-IF協(xié)會(huì)正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...

2023-07-31 標(biāo)簽：充電器 usb 氮化鎵 826 0

PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片 GaN技術(shù) 1656 0

淺談雷達(dá)技術(shù)的幾個(gè)發(fā)展趨勢(shì)

氮化鎵（GaN）被認(rèn)為是自硅以來(lái)影響最大的半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品，該材料能夠在比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料高得多的電壓下工作。更高的電壓意味著更高的效率，因此基于GaN的R...

2023-07-27 標(biāo)簽：傳感器 fpga 氮化鎵 1310 0

“后起之秀”氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)

來(lái)源：電子工程專輯比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...

2023-07-24 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 487 0

雷達(dá)的常見分類方法及發(fā)展趨勢(shì)

GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性，但也需要更多的測(cè)試和優(yōu)化，在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：優(yōu)勢(shì)： GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性，可以提...

2023-07-10 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 759 0

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