氮化鎵

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：

2023-10-09 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 4187 1

為什么LED能夠發(fā)出不同顏色的光

LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因?yàn)樗鼈儾粌H具有高效能、長(zhǎng)壽命和低能耗等優(yōu)點(diǎn)，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類(lèi)...

2023-09-27 標(biāo)簽：led發(fā)光二極管氮化鎵 2700 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperi...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 838 0

干貨分享|高功率氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

提高效率既是行業(yè)的關(guān)鍵性挑戰(zhàn)，也是創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)力。社會(huì)需求的壓力和相關(guān)法規(guī)都在要求提高電源轉(zhuǎn)換和控制的效率。對(duì)于一些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是贏得市...

2023-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 873 0

氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)說(shuō)明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)

2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFETMOS管氮化鎵 7862 0

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要

2023-09-27 標(biāo)簽：PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1038 0

電子元件失效分析

電子元件是電子設(shè)備和系統(tǒng)產(chǎn)品的最基本組成部分，其性能和可靠性對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的安全可靠運(yùn)行至關(guān)重要。

2023-09-15 標(biāo)簽：靜電放電氮化鎵紅外光譜儀 1611 0

硅基氮化鎵未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析

GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化...

2023-09-14 標(biāo)簽：射頻無(wú)線電氮化鎵 1372 0

通過(guò)單片GaN集成提高性能，同時(shí)減小尺寸和成本

15 V 至 350 V 范圍內(nèi)的氮化鎵 （GaN） 異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管已被證明在功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和激光雷達(dá)脈沖光等應(yīng)用中在效率、尺寸、速度和成本...

2023-09-07 標(biāo)簽：emi雷達(dá)柵極 9580 0

氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么

氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 960 0

GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)？

納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...

2023-09-01 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1022 0

基于ST VIPERGAN65 的65W PD 快充方案

ST推出內(nèi)置氮化鎵MOS的緊湊型控制芯片VIPERGAN65，尺寸為5*6mm，支持PD快充和緊湊型電源，提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...

2023-03-22 標(biāo)簽：ST氮化鎵快充 1538 0