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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...
隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分,氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳...
2024-01-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 1864 0
氮化鎵技術(shù)(GaN技術(shù))是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù),被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...
2024-01-09 標(biāo)簽:功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 1899 0
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點和局限性,下面將詳細介紹這些優(yōu)點和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 6323 0
氮化鎵充電寶和普通充電寶是兩種不同類型的便攜式電池充電設(shè)備。它們之間的主要區(qū)別在于材料和性能,對比這兩種充電寶可以幫助用戶選擇適合自己需求的產(chǎn)品。 首先...
氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器,它們的特點和優(yōu)點都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進行比較和分析。 首先,從充電效率方面來看。...
傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
PFC部分使用安森美的NCL2801產(chǎn)品,SOIC-8封裝,外圍線路簡單。FB腳為輸出電壓采樣信號輸入端,作為反饋信號輸入端的同時還有輸出電壓OVP功能...
2023-12-27 標(biāo)簽:開關(guān)電源控制器氮化鎵 712 0
氮化鎵半導(dǎo)體芯片(GaN芯片)和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先,氮化鎵半...
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...
2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 1853 0
氮化鎵(GaN)MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件,它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底,具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
氮化鎵開關(guān)管是一種新型的半導(dǎo)體器件,適用于高頻高壓控制信號的開關(guān)應(yīng)用。它由四個電極組成,包括柵極(G,Gate)、源極(S,Source)、漏極(D,D...
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先,氮化鎵是一種寬能帶隙半導(dǎo)體材料,具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管,1990年起開始被廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管上,目前被廣泛應(yīng)用于功率器件、...
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
本文研究了四個經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響:器件的[寄生電容]()、時變功耗(Ploss)下的結(jié)溫度(*T*~j~)動力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1312 0
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