氮化鎵

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率？

集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸，實現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 612 0

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點，被譽為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1527 0

氮化鎵的重要性以及制備方法

GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電子器件氮化鎵 1552 0

氮化鎵工藝制造流程

氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點，從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料，而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 6926 0

氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用

氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵外延片 5740 0

氮化鎵芯片應(yīng)用前景如何

隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC和G...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 2412 0

氮化鎵充電器的優(yōu)勢 氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

與普通半導(dǎo)體的硅材料相比，氮化鎵的帶隙更寬且導(dǎo)熱好，能夠匹配體積更小的變壓器和大功率電感，所以氮化鎵充電器有體積小、效率高、更安全等優(yōu)勢。

2023-02-05 標(biāo)簽：充電器功率電感氮化鎵 2.0萬 0

氮化鎵芯片應(yīng)用領(lǐng)域有哪些

相對于硅材料，使用氮化鎵制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快和更高效。這將減少電力電子元件的質(zhì)量、體積以及生命周期成本，允許設(shè)備在更高的溫度、電...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 3336 0

氮化鎵GaN晶圓的制造流程及應(yīng)用領(lǐng)域

第三代半導(dǎo)體材料禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優(yōu)勢。因此采用第三代半導(dǎo)體材料制備的半導(dǎo)體器件能在更高的溫度下穩(wěn)定運...

2023-02-05 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵半導(dǎo)體器件 4351 0

氮化鎵工藝優(yōu)點是什么

氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1851 0

氮化鎵工藝缺點有哪些

隨著消費電子產(chǎn)品、電動車、家用電器等產(chǎn)品更新?lián)Q代，產(chǎn)品的性能也越來越受重視，尤其是在功率設(shè)計方面。如何提升電源轉(zhuǎn)換能效，提高功率密度水平，延長電池續(xù)航時...

2023-02-05 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3238 0

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思

氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1633 0

氮化鎵半導(dǎo)體器件特性 氮化鎵半導(dǎo)體器件有哪些

氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

2023-02-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體激光器 3188 0

小編科普一下氮化鎵技術(shù)

氮化鎵是一種無機物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

2023-02-03 標(biāo)簽：發(fā)光二極管氮化鎵GaN 4481 0