氮化鎵

什么是氮化鎵，氮化鎵有哪些好處

　　氮化鎵是一種無機化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點、高硬度和良好的電學性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性...

2023-02-14 標簽：晶體管電子器件氮化鎵 8670 0

氮化鎵屬于無機非金屬材料嗎

　　20世紀40年代后，傳統(tǒng)的鋁硅酸鹽材料被選為無機非金屬材料，與有機聚合物材料和金屬材料并列為三大材料之一。無機非金屬材料是由一些原始氮化合物和鹵素燈...

2023-02-13 標簽：氮化鎵GaN 3466 0

氮化鎵技術在電源應用方面的優(yōu)勢

　GaN和SiC屬于高帶隙的第三代半導體材料，與第一代Si和第二代GaAs等前輩相比，它們在特性上具有突出優(yōu)勢。由于大的帶隙和高的熱導率，GaN器件可以...

2023-02-13 標簽：氮化鎵 706 0

氮化鎵和碳化硅的對比

氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定...

2023-02-13 標簽：氮化鎵碳化硅微電子器件 9632 0

氮化鎵屬于什么晶體，GaN材料具有哪些優(yōu)勢

　　氮化鎵（氮化鎵）是一種半導體材料，是一種用于制造光電子器件的高性能晶體。它的優(yōu)點是可以提供高功率、低成本、高性能和高可靠性的系統(tǒng)。與硅基解決方案相比...

2023-02-13 標簽：晶體管電子器件氮化鎵 5097 0

氮化鎵技術概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...

2023-02-13 標簽：激光二極管半導體材料氮化鎵 2711 0

氮化鎵外延片的工藝及分類介紹

通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

2023-02-12 標簽：LED芯片氮化鎵MOCVD 3165 0

硅基氮化鎵的特性及其應用有哪些？

在半導體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。

2023-02-12 標簽：半導體功率放大器氮化鎵 783 0

誰發(fā)現了氮化鎵半導體材料？這種材料的特性是什么？

氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

2023-02-12 標簽：半導體氮化鎵MOCVD 1146 0

氮化鎵材料為什么如此昂貴？

可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...

2023-02-11 標簽：充電器電感氮化鎵 2343 0

氮化鎵技術在電源行業(yè)的應用

氮化鎵（GaN）技術如今在電力電子行業(yè)風靡一時，這種寬禁帶半導體能夠實現非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優(yōu)勢正...

2023-02-10 標簽：電源充電器氮化鎵 981 0

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用？

僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...

2023-02-10 標簽：氮化鎵功率半導體 2043 0