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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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在消費(fèi)類快充電源市場(chǎng)中，氮化鎵有著廣泛的應(yīng)用，如今已有數(shù)十家主流電源廠商開(kāi)辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線，推出的氮化鎵快充新品多達(dá)數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
2024-12-24 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)氮化鎵電源芯片 185 0
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC...
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵（Gallium Nitride，簡(jiǎn)稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 631 0
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業(yè)發(fā)展特別迅猛，市場(chǎng)上不斷涌現(xiàn)大功率充電器產(chǎn)品，比如氮化鎵65W充電頭...
德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場(chǎng)創(chuàng)新
一直以來(lái)，可再生能源利用的一大問(wèn)題是缺乏彈性，比如對(duì)于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無(wú)法根據(jù)需求而定。不過(guò)，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。
相比傳統(tǒng)影視行業(yè)，手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短，不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備，呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢(shì)，在于...
相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說(shuō)是...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高...
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用，并介紹了原子層鍍膜技...
隨著電動(dòng)汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)顯著增長(zhǎng)，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)各種高功率和高溫條件的應(yīng)用。英飛...
2024-10-15 標(biāo)簽：封裝氮化鎵功率半導(dǎo)體 295 0
英諾賽科 2KW 48V 雙向ACDC儲(chǔ)能電源方案
2KW 48V雙向ACDC儲(chǔ)能模塊采用All GaN解決方案，包括前端AC-DC無(wú)橋圖騰柱PFC和后端DC-DC隔離全橋LLC轉(zhuǎn)換器，可實(shí)現(xiàn)單雙向工作。...
2024-10-12 標(biāo)簽：氮化鎵英諾賽科第三代半導(dǎo)體 571 0
分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點(diǎn)。氮化鎵熱穩(wěn)定性好、飽...
針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...
氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二...
2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 2528 0
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對(duì)兩者優(yōu)勢(shì)的比較： 氮化鎵（GaN）...
2024-09-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 1622 0
引言 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種具有重要應(yīng)用前景的第三代半導(dǎo)體材料。它們具有高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì)，被廣泛...
2024-09-02 標(biāo)簽：電子器件半導(dǎo)體材料氮化鎵 1034 0
目前市場(chǎng)已推出多種快充技術(shù)方案。其中PD方案的出現(xiàn)，助力推動(dòng)了快充產(chǎn)品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽：晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 1417 0
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