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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。
合成方法
1、即使在1000℃氮與鎵也不直接反應(yīng)。在氨氣流中于1050～1100℃下加熱金屬鎵30min可制得疏松的灰色粉末狀氮化鎵GaN。加入碳酸銨可提供氣體以攪動(dòng)液態(tài)金屬，并促使與氮化劑的接觸。
2、在干燥的氨氣流中焙燒磨細(xì)的GaP或GaAs也可制得GaN。
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2025-03-13 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路功率器件 568 0
氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)...
納微 NV6169 # 45mΩ低導(dǎo)阻、800V耐壓、GaNSense智能保護(hù)技術(shù)
這是一款采用 GaNSense技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast芯片，可滿(mǎn)足高功率應(yīng)用，例如 400-1000 W 4K/8K 電視和顯示器...
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Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型立即下載
類(lèi)別：電子資料 2025-02-13 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵Nexperia
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類(lèi)別：IC datasheet pdf 2024-09-04 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵HEMT
DK065G高性能AC-DC氮化鎵電源管理芯片規(guī)格書(shū)V1.1立即下載
類(lèi)別：IC中文資料 2024-07-10 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)氮化鎵AC-DC
100V、35A GaN 半橋功率級(jí)LMG2100R044數(shù)據(jù)表立即下載
類(lèi)別：電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽：氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器
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2025-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵 329 0
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全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開(kāi)發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請(qǐng)
英飛凌全球?qū)捊麕ч_(kāi)發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦，匯集了來(lái)自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專(zhuān)家，更有一個(gè)來(lái)自中...
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國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件綜合優(yōu)勢(shì)扳倒進(jìn)口GaN功率半導(dǎo)體，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件在成本、...
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? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉： 香港科技大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系陳敬教授課題組 ，在第70屆國(guó)際電子器件大會(huì)（IEEE I...
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