氧化鎵

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氧化鎵技術(shù)

本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類(lèi)似，都難以通過(guò)離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無(wú)法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)...

2023-11-27 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 2499 0

氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻法

目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生...

2023-11-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓晶圓蝕刻 679 0

Ni摻雜β-Ga2O3單晶的光、電特性研究

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，Ga2O3禁帶寬度高達(dá)4.8 eV，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)為8 MV/cm，是繼GaN和SiC之后的下一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料

2023-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體信號(hào)處理光譜儀 1286 0

氧化鎵功率器件研究成果

隨著電力電子技術(shù)在汽車(chē)電子、醫(yī)療器械、航空航天等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的研究和發(fā)展也進(jìn)入了加速階段。

2023-08-24 標(biāo)簽：處理器功率二極管導(dǎo)通電阻 923 0

氧化鎵薄膜外延與電子結(jié)構(gòu)研究

氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、可低成本制作大尺寸襯底等突出優(yōu)點(diǎn)。

2023-08-17 標(biāo)簽：接觸器半導(dǎo)體芯片 DFT算法 1062 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 828 0

氧化鎵的電子態(tài)缺陷研究

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率半導(dǎo)體 802 0

氧化鎵缺陷、合金化電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及日盲光電探測(cè)器研究

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，Ga2O3、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體，GaN、SiC等寬禁帶半導(dǎo)體前景廣闊。

2023-08-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光電探測(cè)器氧化鎵 944 0

基于氧化鎵材料性能調(diào)控及高性能日盲紫外光電探測(cè)器的研究

2023-08-07 標(biāo)簽：探測(cè)器晶體管光電探測(cè)器 934 0

氧化鎵材料生長(zhǎng)與陣列探測(cè)器研究

2023-08-04 標(biāo)簽：探測(cè)器半導(dǎo)體技術(shù)肖特基二極管 988 0

氧化鎵帖子

8英寸！第四代半導(dǎo)體再突破，我國(guó)氧化鎵研究取得系列進(jìn)展，產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步

標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝氧化鎵 1282 0

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氧化鎵資訊

ACS AMI：通過(guò)襯底集成和器件封裝協(xié)同設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs

原創(chuàng)：Xoitec 異質(zhì)集成XOI技術(shù) 來(lái)源：上海微系統(tǒng)所，集成電路材料實(shí)驗(yàn)室，異質(zhì)集成XOI課題組 1 工作簡(jiǎn)介超寬禁帶氧化鎵是實(shí)現(xiàn)超高壓、大功率、...

2024-11-13 標(biāo)簽：MOSFET 封裝氧化鎵 368 0

異質(zhì)集成氧化鎵：下一代高性能功率半導(dǎo)體器件的新基石

來(lái)源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等功率半導(dǎo)體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動(dòng)人類(lèi)社會(huì)...

2024-10-21 標(biāo)簽：氧化鎵功率半導(dǎo)體器件異質(zhì)集成 284 0

蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域戰(zhàn)略合作協(xié)議

來(lái)源：蘇州納米城近日，蘇州納米城企業(yè)—蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁”）于杭州簽訂戰(zhàn)略合...

2024-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氧化鎵 332 0

北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破

北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展，其技術(shù)已領(lǐng)先國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。

2024-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 919 0

三菱電機(jī)斥資9000億加速研發(fā)氧化鎵

三菱電機(jī)總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開(kāi)發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，然后將其返還給Coherent"...

2024-04-07 標(biāo)簽：三菱電機(jī)功率半導(dǎo)體碳化硅 733 0

我國(guó)實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破

氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，被稱(chēng)為第四代半導(dǎo)體材料。

2024-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵 529 0

晶旭半導(dǎo)體獲睿悅控股集團(tuán)億元戰(zhàn)略投資

據(jù)睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團(tuán)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“睿悅控股集團(tuán)”）與福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晶旭半導(dǎo)體”）的戰(zhàn)略投資...

2024-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 905 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月，日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼（VB）法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵（β-Ga2O3）單...

2023-12-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 1353 0

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運(yùn)領(lǐng)域最新研究進(jìn)展

近日，武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院袁超課題組和斯洛伐克科學(xué)院Filip Gucmann課題組合作，在國(guó)際權(quán)威期刊《Small》上發(fā)表了題為“Phase-Dep...

2023-12-25 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池二極管氧化鎵 1380 0

基于晶圓級(jí)高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實(shí)現(xiàn)最高截止頻率氧化鎵射頻器件

氧化鎵是超寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場(chǎng)強(qiáng)遠(yuǎn)高于GaN，不僅可在更高場(chǎng)強(qiáng)、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實(shí)現(xiàn)在高...

2023-11-15 標(biāo)簽：晶圓 SiC 射頻器件 1578 0

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