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標(biāo)簽 > 雜散電感
雜散電感是指由電路中的導(dǎo)體如:連接導(dǎo)線、元件引線、元件本體等呈現(xiàn)出來的等效電感 。
變流器雜散電感會使IGBT的集、射極之間產(chǎn)生較高的電壓尖峰,從而造成較大的電磁干擾,甚至導(dǎo)致絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)損壞。若能測量變流器雜散電感,則可在一定程度上預(yù)估該電壓尖峰,并設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)木彌_電路。
基于NX封裝的低雜感SiC MOSFET模塊設(shè)計(jì)
功率模塊從硅IGBT技術(shù)過渡到基于SiC MOSFET技術(shù)是不可避免的。然而,從硅IGBT時代留下來的外形尺寸偏好仍然阻礙著SiC技術(shù)的商業(yè)化,因?yàn)樗鼈?..
納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動NSI6611在電控系統(tǒng)中的運(yùn)用介紹
主驅(qū)電控系統(tǒng)是新能源汽車的重要組成部分,本文將從電控系統(tǒng)的系統(tǒng)框圖出發(fā),介紹系統(tǒng)的各組成部分及其功能,并重點(diǎn)介紹納芯微帶保護(hù)功能的單通道隔離驅(qū)動NSI6...
2024-03-18 標(biāo)簽:功率管電控系統(tǒng)雜散電感 3561 0
如何利用IGBT雙脈沖測試電路改變電壓及電流測量探頭的位置?
利用IGBT雙脈沖測試電路,改變電壓及電流測量探頭的位置,即可對IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管(下文簡稱FRD)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測量與評估。
IGBT雙脈沖測試的實(shí)測原理及電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
通常我們對某款I(lǐng)GBT的認(rèn)識主要是通過閱讀相應(yīng)的datasheet,數(shù)據(jù)手冊中所描述的參數(shù)是基于一些已經(jīng)給定的外部參數(shù)條件測試得來的,而實(shí)際應(yīng)用中的外部...
如何實(shí)現(xiàn)純電動汽車電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)三相線濾波磁環(huán)的設(shè)計(jì)?
電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)中的主要干擾源是功率開關(guān)器件的開關(guān)動作,目前車用硅基 IGBT 的工作頻率一般為10kH,同時由于電路中雜散電感等寄生參數(shù)的存在
瞻芯電子推出一款車規(guī)級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日,瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC...
安森美SiC方案助力800V車型加速發(fā)布 解決補(bǔ)能焦慮
實(shí)際上,近期有越來越多的國內(nèi)外車企開始加速800V電壓架構(gòu)車型的量產(chǎn),多款20-25萬元價格段的標(biāo)配SiC車型上市。
本文支持快捷轉(zhuǎn)載影響IGBT和SiCMOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數(shù):寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試...
熾芯微電開業(yè)!專注于碳化硅塑封功率模塊封測研發(fā)
1月19日,熾芯微電子科技(蘇州)有限公司(以下簡稱“熾芯微電”)在恒泰智造·蘇州納米城Ⅴ區(qū)開業(yè)。
閉合導(dǎo)線測量步驟詳解? 閉合導(dǎo)線測量是一種常用的電路參數(shù)測量方法,它可以用來測量電阻、電感和電容等電路元件的參數(shù)。閉合導(dǎo)線測量的原理是利用電流-電壓特性...
賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊
賽晶科技表示,為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊,導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ(@25℃),可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng),并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對...
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