晶圓

一文看懂晶圓測試(WAT)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，晶圓接受測試（Wafer Acceptance Test，WAT）在半導(dǎo)體制造過程中的地位日益凸顯。WAT測試的核心目標(biāo)是確保...

2025-01-23 標(biāo)簽：測試晶圓晶圓測試 209 0

碳化硅襯底的特氟龍夾具相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

一、引言 隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對其襯底質(zhì)量的檢測愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測量...

2025-01-23 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 65 0

一種新型RDL PoP扇出晶圓級封裝工藝芯片到晶圓鍵合技術(shù)

扇出型晶圓級中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢，例如低功耗、短信號路徑...

2025-01-22 標(biāo)簽：芯片晶圓封裝技術(shù) 941 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于氮化鎵襯底厚度測量的影響

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底...

2025-01-22 標(biāo)簽：晶圓氮化鎵測量 143 0

特氟龍夾具的晶圓夾持方式，相比真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真...

2025-01-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 152 0

FinFET制造工藝的具體步驟

本文介紹了FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓晶體管柵極 674 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，對于氮化鎵襯底厚度測量的實(shí)際影響

在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測...

2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓測量探頭碳化硅 126 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于碳化硅襯底厚度測量的影響

在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其厚度測量的準(zhǔn)確性如同精密機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)的核心齒輪，容不得絲毫差錯(cuò)。然而，測量...

2025-01-15 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 142 0

從晶圓到芯片：劃片機(jī)在 IC 領(lǐng)域的應(yīng)用

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，IC芯片的生產(chǎn)是一個(gè)極其復(fù)雜且精密的過程，劃片機(jī)作為其中關(guān)鍵的一環(huán)，發(fā)揮著不可或缺的作用。從工藝流程來看，在芯片制造的后端工序中，劃片...

2025-01-14 標(biāo)簽：芯片IC晶圓 107 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，對于碳化硅襯底厚度測量的實(shí)際影響

在半導(dǎo)體制造的微觀世界里，碳化硅襯底作為新一代芯片的關(guān)鍵基石，其厚度測量的精準(zhǔn)性如同精密建筑的根基，不容有絲毫偏差。然而，測量探頭的 “溫漂” 問題卻如...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 197 0

不同的碳化硅襯底的吸附方案，對測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺階。對于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WA...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓測量碳化硅 155 0

功率器件晶圓測試及封裝成品測試介紹

???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓封裝功率器件 243 0

碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質(zhì)量...

2025-01-13 標(biāo)簽：晶圓硅襯底碳化 145 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，都是怎么產(chǎn)生的，以及對于晶圓厚度測量的影響

在半導(dǎo)體芯片制造的微觀世界里，精度就是生命線，晶圓厚度測量的精準(zhǔn)程度直接關(guān)聯(lián)著最終產(chǎn)品的性能優(yōu)劣。而測量探頭的 “溫漂” 問題，宛如精密時(shí)鐘里的一粒微塵...

2025-01-13 標(biāo)簽：晶圓測量探頭厚度測量 189 0

芯片制造的關(guān)鍵一步：鍵合技術(shù)全攻略

在芯片制造領(lǐng)域，鍵合技術(shù)是一項(xiàng)至關(guān)重要的工藝，它直接關(guān)系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的鍵合技術(shù)，包括其基本概念、分類、...

2025-01-11 標(biāo)簽：晶圓芯片封裝鍵合 314 0

測量探頭的 “溫漂” 問題，對于晶圓厚度測量的實(shí)際影響

一、“溫漂” 現(xiàn)象的本質(zhì)剖析 測量探頭的 “溫漂”，指的是由于環(huán)境溫度變化或探頭自身在工作過程中的發(fā)熱，導(dǎo)致探頭的物理特性發(fā)生改變，進(jìn)而使其測量精度出現(xiàn)...

2025-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓測量 243 0

不同的真空吸附方式，對測量晶圓 BOW 的影響

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，晶圓作為芯片制造的基礎(chǔ)材料，其質(zhì)量把控貫穿整個(gè)生產(chǎn)流程。其中，晶圓的 BOW（彎曲度）測量精度對于確保后續(xù)工藝的順利進(jìn)行以及...

2025-01-10 標(biāo)簽：晶圓測量真空 239 0

晶圓的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量晶圓 BOW/WARP 的影響

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓...

2025-01-09 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體制造Warp 278 0

晶圓制造及直拉法知識介紹

晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成...

2025-01-09 標(biāo)簽：晶圓晶圓制造 257 0