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標(biāo)簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。
硅是由石英砂所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,經(jīng)過(guò)照相制版,研磨,拋光,切片等程序,將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu),而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,鹽酸氯化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達(dá)99.999999999%。
硅是由石英砂所精練出來(lái)的,晶圓便是硅元素加以純化(99.999%),接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,經(jīng)過(guò)照相制版,研磨,拋光,切片等程序,將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圓。
晶圓切割中深度補(bǔ)償 - 切削熱耦合效應(yīng)對(duì) TTV 均勻性的影響及抑制
一、引言 在晶圓制造流程中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是衡量晶圓質(zhì)量的核心指標(biāo),直接關(guān)系到芯片制造的良品率與性能表現(xiàn) 。切割深度...
切割深度動(dòng)態(tài)補(bǔ)償技術(shù)對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在晶圓制造過(guò)程中,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過(guò)程中,受切削力...
晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細...
2025-07-15 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體制造晶圓蝕刻 125 0
超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)研究
我將從超薄晶圓淺切多道切割技術(shù)的原理、TTV 均勻性控制的重要性出發(fā),結(jié)合相關(guān)研究案例,闡述該技術(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)與應(yīng...
基于淺切多道的晶圓切割 TTV 均勻性控制與應(yīng)力釋放技術(shù)
一、引言 在半導(dǎo)體制造中,晶圓總厚度變化(TTV)均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素,而切割過(guò)程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo...
晶圓切割中淺切多道工藝與切削熱分布的耦合效應(yīng)對(duì) TTV 的影響
一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響芯片制造的良品率與性能。淺切多...
淺切多道切割工藝對(duì)晶圓 TTV 厚度均勻性的提升機(jī)制與參數(shù)優(yōu)化
一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓總厚度變化(TTV)是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一,直接影響芯片制造的良品率與性能。傳統(tǒng)切割...
晶圓切割振動(dòng)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)與進(jìn)給參數(shù)的協(xié)同優(yōu)化模型
一、引言 晶圓切割是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),切割過(guò)程中的振動(dòng)會(huì)影響晶圓表面質(zhì)量與尺寸精度,而進(jìn)給參...
2025-07-10 標(biāo)簽:晶圓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)碳化 73 0
NanoStar?晶圓級(jí)和SOT-23中的低噪聲、高PSRR、RF、200 mA低壓降線性穩(wěn)壓器TPS793數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-02 標(biāo)簽:晶圓線性穩(wěn)壓器低噪聲
半導(dǎo)體設(shè)備零部件國(guó)產(chǎn)化加速,開(kāi)啟千億新藍(lán)海立即下載
類別:電子資料 2023-11-28 標(biāo)簽:晶圓零部件半導(dǎo)體設(shè)備
WD4000無(wú)圖晶圓檢測(cè)機(jī):助力半導(dǎo)體行業(yè)高效生產(chǎn)的利器立即下載
類別:電子資料 2023-10-26 標(biāo)簽:晶圓表面檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓
行芯科技亮相第三屆芯粒開(kāi)發(fā)者大會(huì)
在剛剛于無(wú)錫圓滿落幕的第三屆芯粒開(kāi)發(fā)者大會(huì)——這場(chǎng)匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈專家的盛會...
英諾賽科產(chǎn)能再擴(kuò)張:年底8英寸晶圓月產(chǎn)將破2萬(wàn)片
近日,氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對(duì)外宣布,將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領...
2025-07-17 標(biāo)簽:晶圓 153 0
超薄晶圓淺切多道切割中 TTV 均勻性控制技術(shù)探討
超薄晶圓厚度極薄,切割時(shí) TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手,分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢(shì),再深入探討具體控...
華工科技攜手中科大突破半導(dǎo)體激光退火關(guān)鍵技術(shù)
近日,華工科技中央研究院與中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)合作開(kāi)展的寬禁帶化合物半導(dǎo)體激光退火研究取得重大進(jìn)展,由中國(guó)科學(xué)技...
三星電子全力推進(jìn)2納米制程,力爭(zhēng)在2025年內(nèi)實(shí)現(xiàn)良率70%
根據(jù)韓國(guó)媒體ChosunBiz的報(bào)道,三星電子的晶圓代工事業(yè)部正在全力押注其2納米制程技術(shù),目標(biāo)是在2025年內(nèi)實(shí)...
TC Wafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)方案
盡管TC Wafer晶圓系統(tǒng)已成為半導(dǎo)體溫度監(jiān)測(cè)的重要工具,但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)...
2025-07-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓測(cè)溫系統(tǒng) 270 0
50.6億發(fā)力!全國(guó)首條8英寸MEMS晶圓全自動(dòng)生產(chǎn)線9月量產(chǎn)在即
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,集成電路產(chǎn)業(yè)的每一次突破都備受矚目。近日,一則振奮人心的消息傳來(lái):總投資 50.6 億的全國(guó)首條8英寸ME...
英飛凌12英寸氮化鎵晶圓可擴(kuò)展生產(chǎn)步入正軌,四季度可交付樣品
7 月 5 日消息,英飛凌德國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間 7 月 3 日宣布,其在 300mm晶圓上的可擴(kuò)展氮化鎵 (GaN) 生產(chǎn)已步入正軌,首批...
臺(tái)積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業(yè)務(wù),力積電接手相關(guān)訂單
近日,全球半導(dǎo)體制造巨頭臺(tái)積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù),預(yù)計(jì)在未來(lái)兩年內(nèi)完成這一過(...
博捷芯晶圓劃片機(jī),國(guó)產(chǎn)精密切割的標(biāo)桿
博捷芯(DICINGSAW)晶圓劃片機(jī)無(wú)疑是當(dāng)前國(guó)產(chǎn)高端半導(dǎo)體精密切割設(shè)備領(lǐng)域的標(biāo)桿產(chǎn)品...
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