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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
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嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。晶體管主...
三極管放大電路最典型的特征就是:Ic max >β*Ib,也就是說無論Ib電流怎樣變化,β*Ib始終沒有超越Ic的最大值,此時的狀態(tài)就是放大狀態(tài)。
PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...
典型繼電器電路圖大全(穩(wěn)壓電源/無電感式模擬繼電器/晶體管)
本文主要介紹了典型繼電器電路圖大全(穩(wěn)壓電源/無電感式模擬繼電器/晶體管)。電磁式繼電器一般由鐵芯、線圈、銜鐵、觸點簧片等組成的。只要在線圈兩端加上一定...
在幾十年的時間里,制造商對基本設(shè)計進行了改進,設(shè)置導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的新標(biāo)準。然而,這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往...
從晶體管電路方面來理解放大原理!對晶體管飽和、飽和壓降的理解
在實際的放大應(yīng)用中,如果放大電路是用于小信號放大,只要晶體管的靜態(tài)工作點設(shè)置正確,晶體管一般不會進入飽和區(qū)。但如果晶體管放大電路處理的是信號幅值較大的信...
從PN結(jié)分析知道,基射極電壓UBE決定了發(fā)射結(jié)的注入水平,即調(diào)節(jié)了集電區(qū)的電流。當(dāng)撤掉基極驅(qū)動,即撤掉基射極之間的電壓時,BJT電流會迅速下降,因為不再...
555制作的穩(wěn)壓電源電路圖大全(開關(guān)調(diào)整管/直流穩(wěn)壓電源/24V轉(zhuǎn)12V開關(guān)穩(wěn)壓電源)
本文主要介紹了555制作的穩(wěn)壓電源電路圖大全(開關(guān)調(diào)整管/直流穩(wěn)壓電源/24V轉(zhuǎn)12V開關(guān)穩(wěn)壓電源)。這個簡單的開關(guān)穩(wěn)壓電源電路是通過555集成電路產(chǎn)生...
產(chǎn)生零點漂移的原因很多,任何元件參數(shù)的變化(包括電壓源電壓的波動),都將造成輸出電壓漂移。實踐證明,溫度變化是產(chǎn)生零點漂移的主要原因,也是最難克服的因素...
“新一代顯示器”發(fā)展的關(guān)鍵 詳解IGZO技術(shù)
IGZO(indium gallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物亦稱金屬氧化物。IGZO(indium gallium zinc oxi...
XX nm制造工藝是什么概念?實現(xiàn)7nm制程工藝為什么這么困難?
XX nm制造工藝是什么概念?芯片的制造工藝常常用90nm、65nm、40nm、28nm、22nm、14nm來表示?,F(xiàn)在的CPU內(nèi)集成了以億為單位的晶體...
臺積電5nm與三星5nm的本質(zhì)差異 三星5LPE與臺積電N5詳解
臺積電提到對于包含60%邏輯單元、30% SRAM,以及10%模擬I/O的移動SoC而言,其5nm工藝能夠縮減芯片35%-40%的尺寸——這樣的值是更具...
以空調(diào)壓縮機為例:國內(nèi)規(guī)定的電壓220V,頻率50Hz的電流經(jīng)整流濾波后得到310V左右的直流電,此直流電經(jīng)過逆變后,就可以得到用以控制壓縮機運轉(zhuǎn)的變頻...
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