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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí),縮放并...
選擇性沉積技術(shù)可以分為按需沉積與按需材料工藝兩種形式。 隨著芯片制造技術(shù)的不斷進(jìn)步,制造更小、更快且能效更高的芯片具很大的挑戰(zhàn),尤其是全環(huán)繞柵極(Gat...
利用安森美Treo平臺優(yōu)化高速邏輯電平轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
在當(dāng)今技術(shù)驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,電子設(shè)備的互操作性至關(guān)重要。從汽車 ADAS(先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng))到數(shù)據(jù)中心和工業(yè)自動(dòng)化,現(xiàn)代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。
2024-12-16 標(biāo)簽:CMOS轉(zhuǎn)換器安森美 328 0
大功率 LED 燈串(例如汽車前燈中用的燈串)要求電流恒定,也就是無論環(huán)境溫度和輸入電壓如何波動(dòng)變化,電流都保持穩(wěn)定。電流穩(wěn)定可以確保 LED 燈串的亮...
電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 324 0
短溝道二維晶體管中的摻雜誘導(dǎo)輔助隧穿效應(yīng)
短溝道效應(yīng)嚴(yán)重制約了硅基晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小,限制了其在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路中的應(yīng)用。開發(fā)新材料和新技術(shù)對于維系摩爾定律的延續(xù)具有重要意義。
"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在?
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是互補(bǔ)金...
前不久,來自瑞典的研究人員就設(shè)計(jì)并測試了第一個(gè)木制晶體管。團(tuán)隊(duì)發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文,討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...
AM:用于惡劣照明條件下高效機(jī)器視覺的雙自適應(yīng)異質(zhì)結(jié)突觸晶體管
? 背景介紹 機(jī)器視覺系統(tǒng)由圖像獲取,預(yù)處理和分析模塊組成,這些模塊打算像人類視覺系統(tǒng)一樣執(zhí)行檢測,處理和識別功能,已成為各種智能場景的最重要方面之一,...
數(shù)據(jù)中心作為現(xiàn)代信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)設(shè)施,承載著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、處理和傳輸?shù)闹匾蝿?wù)。在這些任務(wù)中,MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)作為關(guān)鍵的電子元件,...
2024-10-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管數(shù)據(jù)中心 310 0
探索光耦:晶體管光耦——電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵角色
隨著電子技術(shù)的進(jìn)步,電路中的隔離需求日益增加。晶體管光耦作為一種非接觸式信號傳輸器件,因其獨(dú)特的隔離特性和可靠性,成為了現(xiàn)代電子設(shè)備和工業(yè)控制中不可或缺...
2024-11-13 標(biāo)簽:光耦晶體管光耦應(yīng)用 309 0
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,芯片作為電子設(shè)備的核心組件,其性能與穩(wěn)定性直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行狀況。然而,隨著芯片集成度的不斷提高,電源噪聲問題日益凸...
在這一階段,正弦波逆變器的發(fā)展還處于起步階段,但已經(jīng)為后續(xù)的快速發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。
BJT即雙極性晶體管,俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用...
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