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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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超低功耗電路的設(shè)計(jì)原則及設(shè)計(jì)分析
以手機(jī)為代表的電池供電電路的興起,為便攜式儀表開(kāi)創(chuàng)了一個(gè)新的紀(jì)元。超低功耗電路系統(tǒng)(包括超低功耗的電源、單片機(jī)、放大器、液晶顯示屏等)已經(jīng)對(duì)電路設(shè)計(jì)人員...
晶體管射頻放大器參數(shù)測(cè)量的進(jìn)展和意義
2008年射頻功率晶體管取得明顯進(jìn)展,以硅材料為主的雙極和CMOS工藝都有突破性進(jìn)展,特別是應(yīng)用在L波段的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,輸出峰值功率1000W的集成電路...
微波功率晶體管(以下簡(jiǎn)稱微波功率管)是指用于微波頻段的功率放大,輸出較大功率,散發(fā)出較高熱量的晶體管。微波功率管是固態(tài)發(fā)射機(jī)及T/R組件的核心器件,其可...
適用于GNSS接收機(jī)的低噪聲混頻器的設(shè)計(jì)
隨著GNSS的不斷發(fā)展和中國(guó)北斗二代衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的加快建設(shè),衛(wèi)星導(dǎo)航定位系統(tǒng)在各領(lǐng)域的應(yīng)用將更加廣泛和深入,更低功耗、更低噪聲、更低成本的衛(wèi)星接收芯片已...
來(lái)個(gè)簡(jiǎn)單小測(cè)試,讓你真正了解晶體管
半導(dǎo)體行業(yè)大致按照摩爾定律發(fā)展了半個(gè)多世紀(jì),對(duì)二十世紀(jì)后半葉的世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)做出了貢獻(xiàn),并驅(qū)動(dòng)了一系列科技創(chuàng)新、生產(chǎn)效率的提高和經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)。
DCpower一般是指帶實(shí)際電壓的源,其他的都是標(biāo)號(hào)(在有些仿真軟件中默認(rèn)的把標(biāo)號(hào)和源相連的)VDD:電源電
2017-09-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管電源管理晶體管 1.4萬(wàn) 1
普通達(dá)林頓管內(nèi)部由兩只或多只晶體管的集電極連接在一起復(fù)合而成,其基極b 與發(fā)射極e之間包含多個(gè)發(fā)射結(jié)。檢測(cè)時(shí)可使用萬(wàn)用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ檔來(lái)測(cè)量。
2017-08-14 標(biāo)簽:萬(wàn)用表晶體管普通達(dá)林頓管 1283 0
場(chǎng)效應(yīng)管電子開(kāi)關(guān)如何實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)控制?
當(dāng)開(kāi)關(guān)按下時(shí),1uF電容被連接到220歐姆和33K電阻連接點(diǎn),NPN晶體管截止,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通開(kāi)啟負(fù)載。釋放按鈕后,1uF電容通過(guò)1M電阻充電。第二次按下...
2017-06-30 標(biāo)簽:電容場(chǎng)效應(yīng)管晶體管 3330 0
射頻MOS功率放大電路模擬器的設(shè)計(jì)方案分析,射頻功率放大器的特性與使用好壞分析
窄帶的穩(wěn)定電路是進(jìn)行一定的增益消耗。這種穩(wěn)定電路是通過(guò)增加一定的消耗電路和選擇性電路實(shí)現(xiàn)的。這種電路使得晶體管只能在很小的一個(gè)頻率范圍內(nèi)貢獻(xiàn)。另外一種寬...
上拉下拉電阻問(wèn)題分析,流散、接地、沖擊接地電阻都是什么意思?
在總線的上下拉電阻設(shè)計(jì)中,你就要考慮同樣的問(wèn)題了:總線上往往負(fù)載很重,如果你要電阻來(lái)提供一些值,你就必須保證電容能通過(guò)電阻在一定時(shí)間內(nèi)放電到可接受的范圍...
電容容量是不是越大就越好?三點(diǎn)式基于電容的振蕩電路設(shè)計(jì)如何進(jìn)行
由于電容上寄生電感的存在,電容放電回路會(huì)在某個(gè)頻點(diǎn)上發(fā)生諧振,在諧振點(diǎn),電容的阻抗小,因此放電回路的阻抗最小,補(bǔ)充能量的效果也最好。但當(dāng)頻率超過(guò)諧振點(diǎn)時(shí)...
2017-05-31 標(biāo)簽:放大器電容電路設(shè)計(jì) 5225 0
晶體管和晶閘管的區(qū)別,單結(jié)晶體管和晶閘管的識(shí)別檢測(cè)
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān),基于輸入的電壓...
2017-05-27 標(biāo)簽:晶閘管晶體管單結(jié)晶體管 2.1萬(wàn) 0
LCD驅(qū)動(dòng)工作原理 ,基于51單片機(jī)LCD底層時(shí)序程序該如何編寫(xiě)?
高信息密度顯示技術(shù)中首先商品化的是被動(dòng)矩陣顯示技術(shù),它得名于控制液晶單元的開(kāi)和關(guān)的簡(jiǎn)單設(shè)計(jì)。被動(dòng)矩陣液晶顯示的驅(qū)動(dòng)方式是由垂直與水平方向的電極所構(gòu)成的,...
數(shù)字型IGBT的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),IGBT過(guò)流的檢測(cè)方法
隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展,大功率器件在軌道交通、直流輸電、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域的市場(chǎng)迅猛發(fā)展,其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出,在具體的應(yīng)用工況中,每一個(gè)IG...
IGBT系統(tǒng)功能介紹,IGBT吸收電路參數(shù)該如何計(jì)算?
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功 率小和開(kāi)關(guān)速...
LED首字母代碼是什么意思?一款高低電平智能控制的LED電路設(shè)計(jì)
大功率LED作為照明光源具有體積小、耗電小、發(fā)熱小、壽命長(zhǎng)、響應(yīng)速度快、安全低電壓、耐候性好、方向性好等優(yōu)點(diǎn)。 外罩可用PC管制作,耐高溫達(dá)135度。低...
2017-05-22 標(biāo)簽:led二極管電路設(shè)計(jì) 7656 0
國(guó)內(nèi)igbt技術(shù)相比國(guó)外如何?igbt安全注意事項(xiàng)以及柵極干擾降低的實(shí)現(xiàn)
技術(shù)也要與之相適應(yīng)。未來(lái)IGBT模塊技術(shù)將圍繞 芯片背面焊接固定 與 正面電極互連 兩方面改進(jìn)。模塊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì):無(wú)焊接、 無(wú)引線鍵合及無(wú)襯板/基板封裝...
兩個(gè)IGBT比一個(gè)IGBT好在哪里?IGBT使用注意事項(xiàng),IGBT控制電路模塊
IGBT單管和IGBT模塊的控制電路是一樣的,它們的作用和工作原理基本一樣,IGBT模塊可以看成是多個(gè)IGBT單管集成的模塊。IGBT模塊封裝技術(shù)拓展了...
igbt封裝,單管IGBT,IPM和IMP的區(qū)別,四種igbt通用測(cè)量?jī)x器
IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng),各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術(shù),從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電...
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