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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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斯坦福大學(xué)開發(fā)了單晶體管單阻變存儲(chǔ)器單元 可抑制泄漏電流
斯坦福研究人員開發(fā)的芯片被稱為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”(1T1R)單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒有晶體管的存儲(chǔ)單元,能夠提供極大好處。
解析一下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的意思以及晶體管的縮小過(guò)程中涉及到三個(gè)問(wèn)題和解答
常聽說(shuō)的,諸如,臺(tái)積電16nm工藝的Nvidia GPU、英特爾14nm工藝的i5,等等,這個(gè)長(zhǎng)度的含義,具體的定義需要詳細(xì)的給出晶體管的結(jié)構(gòu)圖才行,簡(jiǎn)...
2018-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)晶體管 2.5萬(wàn) 0
運(yùn)用兩種不同的納米尺度或原子尺度測(cè)量分析方法分析同一個(gè)樣品
APT是一個(gè)獨(dú)一無(wú)二的微電子測(cè)量分析方法,但是,當(dāng)測(cè)量由不同蒸發(fā)場(chǎng)區(qū)(例如,不同的化學(xué)成分和/或晶體結(jié)構(gòu))構(gòu)成的三維結(jié)構(gòu)時(shí),這種方法將會(huì)受到諸多限制。蒸...
利用發(fā)生正弦波控制,成功設(shè)計(jì)和制作一個(gè)振蕩器
振蕩電路的作用是發(fā)生正弦波,正弦波可以用于為TTL電路提供控制信號(hào),因此振蕩電路是大家在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)必不可
晶閘管的四點(diǎn)工作特性_晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理
本文主要介紹了晶閘管的四點(diǎn)工作特性以及晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理。晶閘管正常工作時(shí),承受反向電壓時(shí),不論門極是否有觸發(fā)電流,晶閘管都不會(huì)導(dǎo)通;承受正向電壓時(shí)...
本文主要介紹了IGBT的結(jié)構(gòu)、工作原理以及如何用萬(wàn)用表判斷IGBT的好壞。IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)...
萬(wàn)能的三極管等效模型!幫你搞定各種參數(shù)分析
本文主要介紹了萬(wàn)能的三極管等效模型!幫你搞定各種參數(shù)分析。晶體管放大電路的主要構(gòu)成元件為pnp型、npn型硅晶體管及若干電阻組成。它主要利用晶體管的特性...
最近,麻省理工學(xué)院(MIT)、半導(dǎo)體公司IQE、哥倫比亞大學(xué)、IBM以及新加坡MIT研究與技術(shù)聯(lián)盟的科研人員展示出一項(xiàng)新型設(shè)計(jì),讓氮化鎵功率器件處理的電...
2018-01-04 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換晶體管氮化鎵 1.2萬(wàn) 0
三極管開關(guān)電路設(shè)計(jì)電路圖原理詳解
晶體管開關(guān)電路(工作在飽和態(tài))在現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)應(yīng)用中屢見不鮮,經(jīng)典的74LS,74ALS等集成電路內(nèi)部都使用了
我們首先來(lái)了解一下什么是FinFET技術(shù)。
大學(xué)總搞不懂IGBT是什么的小伙伴們?這篇文章告訴你答案
電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動(dòng)能每天都在源源不斷的釋放,人對(duì)電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會(huì)在黑暗中探索。 然而在電力電...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用...
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入...
SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
氮化鎵技術(shù)的不斷進(jìn)步促使設(shè)備在更高的功率、電源電壓和頻率下工作。 本文介紹了使用市售SMT晶體管(Qorvo的QPD1013)的GaN PA的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)...
電腦顯示器通常也被稱為電腦監(jiān)視器或電腦屏幕。它是除了CPU、主板、內(nèi)存、電源、鍵盤、鼠標(biāo)之外最重要的一個(gè)電腦部件,是是將一定的電子文件信息通過(guò)特定的傳輸...
基于高性能GaAsSb基區(qū)的射頻和微波測(cè)試儀器設(shè)計(jì)
Abstract 一種用于射頻和微波測(cè)試系統(tǒng)的高性能GaAsSb基區(qū),InP集電區(qū) DHBT IC 工藝被成功研發(fā)。這種GaAsSb工藝使得在工作電流為...
有效抑制了HBT大信號(hào)Kink效應(yīng)的寬帶功率放大器
功率放大器輸出端的負(fù)載特性將直接影響到輸出端匹配電路的復(fù)雜度,為了獲得最佳功率輸出負(fù)載阻抗,在4~12 GHz頻帶內(nèi)進(jìn)行常規(guī)的負(fù)載牽引(Load-Pul...
外驅(qū)動(dòng)同步整流正激變換器的電路如圖5 所示,它的主要波形如圖6 所示。在電路中,晶體管Q2 和Q3 被從主開關(guān)管門極驅(qū)動(dòng)獲得的信號(hào)所驅(qū)動(dòng),因此,同步整流...
晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因_晶體管防護(hù)措施
隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展和新型元器件的問(wèn)世, 開關(guān)電源以其體積小、重量輕、效率高、對(duì)電網(wǎng)電壓適應(yīng)范圍寬等優(yōu)勢(shì), 越來(lái)越受到大家的青睞, 在絕大多數(shù)領(lǐng)域中取...
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