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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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GaN IC設(shè)計(jì)系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)分析
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。
對(duì)基準(zhǔn)電壓施加許多負(fù)載的大型模擬系統(tǒng)通常需要比單個(gè)基準(zhǔn)電壓源IC所能提供的更多的電流。一種常見(jiàn)的解決方案是在基準(zhǔn)電壓源IC輸出端增加一個(gè)緩沖電路,但基準(zhǔn)...
最先進(jìn)的計(jì)算機(jī)處理器制造商正在經(jīng)歷十年來(lái)器件架構(gòu)的第一次重大變革,即從鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)轉(zhuǎn)變到納米片(nanosheet)。
使用并聯(lián)功率MOSFETS的要點(diǎn)和范例
引言:雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng),因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞,使得并聯(lián)連接均衡變得困難。而功率MOS是由電壓驅(qū)動(dòng)的,因此只需...
下面的電池監(jiān)視器電路使用 3 個(gè)獨(dú)立的 LED。6v 至 11v 以下的電壓電平將打開(kāi)紅色 LED,高于 11v 時(shí)將熄滅。
2023-07-27 標(biāo)簽:晶體管電池監(jiān)視器電池電路 527 0
高層次地審視設(shè)計(jì)模擬 IC 的過(guò)程
模擬IC設(shè)計(jì)與數(shù)字 IC 設(shè)計(jì)有很大不同。其中數(shù)字IC設(shè)計(jì)在與確定的柵- /晶體管級(jí)放置和路由的具體系統(tǒng)和過(guò)程的抽象水平大多進(jìn)行,模擬IC設(shè)計(jì)通常涉及更...
微型逆變器中常用的功率開(kāi)關(guān)晶體管類型及特點(diǎn)
微型逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電力轉(zhuǎn)換設(shè)備,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車充電樁、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域。在微型逆變器中,功率開(kāi)關(guān)是核心部件之一,其...
2024-08-15 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)晶體管太陽(yáng)能光伏 526 0
硅/鍺原子的間距比普通硅原子的更寬。在沉積的過(guò)程中,硅原子伸展到與SI/Ge原子對(duì)齊,使硅層染色。電學(xué)效應(yīng)可以降低硅的電阻,可以使電子移動(dòng)的速度快了70...
自從 40 多年前,第一款開(kāi)關(guān)電源問(wèn)世以來(lái),PCB 的布局就一直是電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的一環(huán)。無(wú)論采用哪種晶體管技術(shù),我們必須理解和管理 PCB 布局...
在工業(yè)應(yīng)用中,發(fā)生高電壓的可能性是一個(gè)持續(xù)關(guān)注的問(wèn)題。找到提供保護(hù)的方法一直是并將繼續(xù)是開(kāi)發(fā)人員的一項(xiàng)重要任務(wù)。此設(shè)計(jì)技巧說(shuō)明了開(kāi)發(fā)人員如何利用過(guò)頂 (...
如何從三個(gè)維度分析車規(guī)芯片和消費(fèi)電子芯片
一塊芯片上數(shù)十億個(gè)晶體管在高頻工作時(shí),會(huì)產(chǎn)生大量的動(dòng)態(tài)功耗、短路功耗和漏電功耗,如果不加以控制,不僅會(huì)出現(xiàn)計(jì)算錯(cuò)誤的結(jié)果,甚至可以把電路中某些環(huán)節(jié)會(huì)融合...
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
2023-06-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)二極管MOSFET 519 0
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電,應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過(guò)度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
晶體管溫度傳感器是一種利用半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)隨溫度變化而變化的特性來(lái)測(cè)量溫度的傳感器。它們通常由一個(gè)或多個(gè)晶體管構(gòu)成,這些晶體管的基極-發(fā)射極電壓(V...
恒流源電路的控制元件在電路中扮演著至關(guān)重要的角色,它們通過(guò)精確的調(diào)節(jié)和反饋機(jī)制,確保電路能夠輸出恒定且穩(wěn)定的電流。以下是對(duì)恒流源電路控制元件的詳細(xì)探討,...
開(kāi)創(chuàng)性新方法!用于高性能石墨烯電子產(chǎn)品!
該研究首次應(yīng)用紫外光輔助原子層沉積(UV-ALD)技術(shù)于石墨烯表面,并展示了利用UV-ALD沉積Al2O3薄膜在石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管(GFETs)中的應(yīng)用...
系統(tǒng)存儲(chǔ)器——系統(tǒng)程序存儲(chǔ)器+系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器>存放系統(tǒng)工作程序(監(jiān)控程序)﹔ >存放模塊化應(yīng)用功能子程序;>存放命令解釋程序; &...
關(guān)于如何解決MOS常見(jiàn)問(wèn)題的方案參考
現(xiàn)代半導(dǎo)體電子設(shè)計(jì)中,MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)因其高效、快速開(kāi)關(guān)特性以及低功耗特性,被廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、信號(hào)放大等領(lǐng)域。然而,在實(shí)...
2024-12-03 標(biāo)簽:MOSFET晶體管驅(qū)動(dòng)電流 510 0
華為麒麟9905G的芯片面積約113平方毫米,片12英寸硅片上大約可生產(chǎn)600顆芯片。每顆芯片上大約集成了103億只晶體管。
2023-10-10 標(biāo)簽:芯片芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù) 504 0
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