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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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可通過基極電流開啟或關(guān)閉雙極結(jié)型晶體管(BJT)。但是,由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度,因而在許多應(yīng)用中,需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極...
Airfast GaN射頻晶體管帶來大量創(chuàng)新設(shè)計(jì)理念
Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管,采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優(yōu)異的輸出,可...
2023-05-25 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)器晶體管 595 0
該成果利用具有優(yōu)異液相分散性的石墨烯納米帶,實(shí)現(xiàn)了超凈單電子晶體管的制備,為進(jìn)一步研究液相石墨烯納米帶的自旋態(tài)和拓?fù)鋺B(tài)提供了可能。
變頻器晶體管過熱的原因分析 變頻器晶體管過熱是一個(gè)常見的問題,其原因可能包括: 1.1 環(huán)境溫度過高:如果變頻器所處的環(huán)境溫度過高,會(huì)導(dǎo)致晶體管散熱不良...
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展
英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英特爾報(bào)告了圍繞 CFET 制造的最簡(jiǎn)單電路(inve...
感應(yīng)負(fù)載,比如螺線管和接觸器,可能會(huì)導(dǎo)致電弧放電和故障,這些故障會(huì)讓機(jī)電開關(guān)設(shè)備停止工作,造成昂貴的停機(jī)時(shí)間。
加州大學(xué)研究人員推出首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管
加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)的一組研究人員利用電場(chǎng)來調(diào)節(jié)半導(dǎo)體器件的傳熱,推出了首款穩(wěn)定的全固態(tài)熱晶體管。 該小組的研究詳細(xì)闡述了該設(shè)備的預(yù)期應(yīng)用和操...
2023-11-07 標(biāo)簽:晶體管電荷半導(dǎo)體器件 588 0
穩(wěn)壓器IC是工業(yè)應(yīng)用的理想選擇
XC6506 系列是CMOS工藝低電流穩(wěn)壓器IC,可實(shí)現(xiàn) 0.8 μA 的超低電流消耗。該IC由參考電壓源、誤差放大器、驅(qū)動(dòng)晶體管、電流折返電路、相位補(bǔ)...
LED電路始終以多種方式在日常生活中發(fā)揮重要作用。它吸引了電子愛好者的興趣,因?yàn)樗子趯?shí)施且具有成本效益。這是一個(gè)簡(jiǎn)單的LED圣誕燈,在非穩(wěn)定模式下使用...
NPN晶體管是一種雙極型晶體管,它由兩個(gè)N型半導(dǎo)體層和一個(gè)P型半導(dǎo)體層組成。在NPN晶體管中,電流的流動(dòng)方向是從發(fā)射極(Emitter)到基極(Base...
電源問題,尤其是熱量問題,正是制約了當(dāng)今芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。持續(xù)增加的晶體管密度導(dǎo)致了更高的功率密度,這限制了時(shí)鐘頻率的提升。
使用多層感知器進(jìn)行機(jī)器學(xué)習(xí)
我們將使用一個(gè)極其復(fù)雜的微處理器來實(shí)現(xiàn)一個(gè)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò),該神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)可以完成與由少數(shù)晶體管組成的電路相同的事情,這個(gè)想法有些幽默。但與此同時(shí),以這種方式思考這...
2023-06-24 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)微處理器晶體管 577 0
1. 集成放大電路的基本概念 集成放大電路是一種使用集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)的放大器,它將傳統(tǒng)的分立元件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一個(gè)小型的硅芯片上。這種...
MOSFET,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),...
功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一...
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件,常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征,IGBT 電源模塊逐漸成...
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