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      標簽　>　微影技術

      微影技術

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      EUV技術量產進入最后沖刺階段

      盡管極紫外光(EUV)步進機的大量生產面臨復雜的問題以及緊迫的時間，專家們仍然抱持樂觀態(tài)度...

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      EUV微影技術仍待克服重重障礙 2020年將用于關鍵步驟

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      微影技術日益精進 半導體工藝持續(xù)成長

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      2014-09-04 標簽：半導體工藝微影技術 1871 0

      ASML：預計2015年可發(fā)布首款量產型EUV機臺

      設備供應商艾司摩爾（ASML）已協(xié)同比利時微電子研究中心（IMEC）和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發(fā)布首款量產型...

      2013-08-19 標簽：英特爾臺積電IP 1788 0

      FinFET改變戰(zhàn)局：臺積將組大聯(lián)盟抗三星Intel

      晶圓代工廠邁入高投資與技術門檻的鰭式場效電晶體制程世代后，與整合元件制造商的競爭將更為激烈，因此臺積電正積極籌組大聯(lián)盟，串連矽智財、半導體設備/材料，以...

      2013-07-24 標簽：臺積電晶圓代工FinFET 1154 0

      摩爾定律等待跨越微影障礙

      專家們一致認為，過去幾十年來一直扮演半導體創(chuàng)新引擎的摩爾定律（Moore“s Law ），正由于下一代超紫外光（EUV）微影技術的延遲而失去動力。

      2012-10-10 標簽：摩爾定律IMEC微影技術 960 0

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