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嵌入式閃存

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嵌入式閃存資訊

NXP正式推出了全球首款5納米汽車MCU

2024年3月底，NXP正式推出了全球首款5納米汽車MCU，不過NXP并未稱其為MCU，而是叫S32N55 Vehicle Super-Integrat...

2024-05-10 標簽：NXP CAN接口車載以太網(wǎng) 2973 0

引領技術創(chuàng)新，Arm賦能AI時代的存儲未來

2024 中國閃存市場峰會 (CFMS2024) 已于 3 月 20 日在深圳盛大召開，活動現(xiàn)場匯聚了包括 Arm 在內的全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈的諸多領先企業(yè)。

2024-04-01 標簽：處理器驅動器 ARM 828 0

鎧俠正式發(fā)布業(yè)界首款車載UFS 4.0嵌入式閃存

存儲器解決方案的全球領導者鎧俠株式會社宣布，該公司已開始提供業(yè)界首款面向車載應用的通用閃存(UFS)4.0版嵌入式閃存設備的樣品。

2024-02-22 標簽：控制器存儲器 UFS 1079 0

立足優(yōu)勢持續(xù)領先：KIOXIA鎧俠新一代UFS嵌入式閃存器件已批量交貨

KIOXIA鎧俠中國近日宣布，今年其最新發(fā)布的業(yè)界首款支持MIPI M-PHY v5.0的通用閃存Universal Flash Storage (以下...

2022-12-09 標簽：UFS 嵌入式閃存鎧俠 3038 0

X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術產(chǎn)品組合中的車用嵌入式閃存產(chǎn)品

X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲器（NVM）IP測試接口也已包括在內，以達成對存儲器的完全串行接駁。

2021-04-15 標簽：閃存混合信號晶圓代工 2822 0

啟方半導體基于二代0.13微米嵌入式閃存技術的汽車半導體工藝即將量產(chǎn)

啟方半導體自行設計的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產(chǎn)品級別測試的產(chǎn)品，今年啟動全面量產(chǎn)。

2021-04-06 標簽：mcu 半導體工藝嵌入式閃存 563 0

硬核技術創(chuàng)新加持，華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時代添飛翼

中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬部，發(fā)展速度遠超業(yè)界預期。5G商用的加速推進，讓更廣泛的智能時代提前到來，隨之而來...

2019-12-16 標簽：cpu 功率器件 5G 2149 0

瑞薩與臺積電將合作開發(fā)28nm納米嵌入式閃存制程技術

瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。

2019-11-29 標簽：納米技術嵌入式閃存 2362 0

瑞薩電子推出基于SOTB工藝的嵌入式閃存低功耗技術實現(xiàn)能量收集并無需電池供電

瑞薩電子株式會社宣布，推出基于65nm SOTB（(薄氧化埋層上覆硅）工藝的新型嵌入式閃存低功耗技術，可提供1.5MB容量，是業(yè)界首款基于65nm SO...

2019-06-15 標簽：瑞薩嵌入式閃存 2162 0

西部數(shù)據(jù)推出新款嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術

西部數(shù)據(jù)公司致力于滿足汽車行業(yè)日益增長的存儲需求，為汽車制造商和系統(tǒng)供應商提供先進技術和更高容量，以支持更廣泛的汽車應用產(chǎn)品，包括電子駕駛艙（e-coc...

2019-05-14 標簽：NAND 嵌入式閃存 e.MMC 3779 0

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤專為自動駕駛高級應用設計

西部數(shù)據(jù)iNAND AT EM132嵌入式閃存盤是專為汽車制造商（OEM）和一級系統(tǒng)供應商設計的汽車級解決方案，旨在擴展存儲以實現(xiàn)先進功能。

2019-05-10 標簽：西部數(shù)據(jù)自動駕駛嵌入式閃存 1441 0

華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn)，是在第一代的基礎上實現(xiàn)了多方面的技術提升。目前，90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的...

2017-12-28 標簽：華虹半導體嵌入式閃存 1469 0

華虹半導體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)

香港, 2017年12月27日 - (亞太商訊) - 全球領先的200mm純晶圓代工廠華虹半導體有限公司 (華虹半導體或公司，連同其附屬公司，統(tǒng)稱集團，...

2017-12-27 標簽：存儲器華虹半導體嵌入式閃存 1.0萬 0

華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片

中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華大電子設計有限責任公司共同宣布，華大電子推出中國第一顆55納米智能卡芯片

2014-08-05 標簽：智能卡芯片華大電子嵌入式閃存 1820 0

100萬次擦寫！三星首創(chuàng)45nm嵌入式閃存

三星電子近日宣布，正在開發(fā)全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經(jīng)成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產(chǎn)和商用打下了堅實基礎。

2013-05-23 標簽：三星電子嵌入式安全嵌入式閃存 1846 1

MCU市場釀變：富士通退出，國內廠商機會幾何？

在日本的眾多IC廠商中，富士通（Fujitsu）是讓人印象非常深刻的企業(yè)之一，不僅因為他們具有MCU、ASIC、ASSP/SoC、系統(tǒng)存儲芯片、甚至代工...

2013-05-20 標簽：MCU 32位MCU 嵌入式閃存 2854 0

Altera與臺積在55納米嵌入式閃存工藝技術領域展開合作

Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存（EmbFlash）工藝技術上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入...

2013-04-16 標簽：臺積電 Altera 嵌入式閃存 1043 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡存儲技術，本章詳細介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應用技術等內容。
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富士通憑借在ICT領域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當電流關掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術之一。
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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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