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      標簽　>　存算一體

      存算一體

      +關(guān)注0人關(guān)注

      傳統(tǒng)的計算機一般采用馮諾依曼體系結(jié)構(gòu)，但是在這種體系結(jié)構(gòu)中計算和存儲功能是分離的，現(xiàn)在隨著AI算力需求不斷提升，算力和功耗、還有內(nèi)存的瓶頸卻難以解決。存算一體技術(shù)，采用非馮·諾依曼架構(gòu)，是解決存儲墻/性能瓶頸的有效技術(shù)手段；大算力的存算一體芯片的開始被更多關(guān)注。

      文章：90個 瀏覽：4318次 帖子：3個

      存算一體技術(shù)

      億鑄存算一體AI大算力芯片：存算一體架構(gòu)

      在傳統(tǒng)的馮·諾依曼架構(gòu)中，處理與存儲單元是分離的。由于存算分離，AI計算的數(shù)據(jù)搬運量非常大，會導(dǎo)致功耗大大增加，也就是存儲墻。

      2022-11-24 標簽：存儲器sramAI 2125 0

      基于三維阻變存儲器的存算一體技術(shù)

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      2022-10-14 標簽：三維阻變存儲器存算一體 1121 0

      知存科技數(shù)模混合存算一體AI芯片專利解析

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      2019-12-24 標簽：存儲器神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)ai 7267 0

      存算一體化芯片簡史介紹 在DRAM上的各種嘗試

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      借著大數(shù)據(jù)和深度學(xué)習(xí)的東風(fēng)，PIM一下子流行起來。其實，PIM并不是一個新概念， 每一個很靠譜的PIM的綜述文章都會講那個開始-The Berkeley...

      2019-07-04 標簽：DRAM深度學(xué)習(xí)RISC-V 8139 0

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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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        AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
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