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標簽 > 存儲密度
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三星采用 3D 縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。通過這項技術(shù),三星顯著的提升每片晶圓的...
市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數(shù)的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術(shù),減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通...
為了達成6400MHz高頻率、1.1V低電壓,SK海力士在電路設(shè)計上費了不少心思,比如為了減少高頻下的時鐘抖動、時鐘占空比失真,加裝了新的延遲鎖定環(huán)DL...
硬盤面密度5年內(nèi)接近極限 新技術(shù)可大幅提高存儲密度
據(jù)IHS iSuppli公司的存儲產(chǎn)業(yè)市場報告,預計2011-2016年硬盤(HDD)的面密度將提高兩倍以上,從而刺激硬盤在視頻和音頻系統(tǒng)等存儲密集...
高存儲密度的DDR3解決方案--AGIGARAM非易失性產(chǎn)品
AGIGARAM非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達8GB的存儲密度,從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計者提供了充分的靈活性,可以專為某些特定應用需求量身定...
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