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標(biāo)簽 > 失效機(jī)理
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失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。失效機(jī)理:是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過程。1、電阻器的主要
保護(hù)器件過電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過應(yīng)力導(dǎo)致的失效,器件的過應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過應(yīng)力,當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生...
當(dāng)向MOSFET施加高于絕對最大額定值BVDSS的電壓時,就會發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場時,自由電子被加速并帶有很大的能量。這會導(dǎo)致碰撞電離...
電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等),部分功能失效
MOSFET的失效機(jī)理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效
MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSF...
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大,在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下,會使得封裝體和裸芯的溫度更...
圖2是器件來源的匯總數(shù)據(jù)。從圖中可以看到,總數(shù) 56批中,進(jìn)口器件是 19批次,約占總批次的 34% ; 失效樣品有 41只,約占總樣品數(shù)的28. 5%...
MEMS慣性器件在典型應(yīng)用環(huán)境下的主要失效模式和失效機(jī)理進(jìn)行分析和總結(jié)
Yang Chunhua和Liu Qin等人通過對MEMS加速度計的沖擊試驗,發(fā)現(xiàn)懸臂梁、梳齒的受力集中點均在根部,即連接點處。當(dāng)沖擊應(yīng)力引起的懸臂梁變...
馬達(dá)產(chǎn)品在客戶端運行一段時間后,發(fā)生功能失效。經(jīng)過初步檢測,新陽檢測中心(下文簡稱中心)判斷該問題是組件中的MLCC電容發(fā)生失效導(dǎo)致的。
元件的失效直接受濕度、溫度、電壓、機(jī)械等因素的影響。 1、溫度導(dǎo)致失效: 1.1 環(huán)境溫度是導(dǎo)致元件失效的重要因素。 溫度變化對半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙...
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