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外延片

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外延片技術(shù)

ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測(cè)的應(yīng)用

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實(shí)驗(yàn)名稱:基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測(cè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:基于單注入模式,使用新型檢測(cè)系統(tǒng)獲取LED外延片的電學(xué)參數(shù)與光學(xué)參數(shù)。研究方向:LED外延片檢...

2024-10-25 標(biāo)簽:led高壓放大器外延片 250 0

外延片和擴(kuò)散片的區(qū)別是什么

外延片和擴(kuò)散片都是半導(dǎo)體制造過程中使用的材料。它們的主要區(qū)別在于制造過程和應(yīng)用領(lǐng)域。 制造過程: 外延片是通過在單晶硅片上生長一層或多層半導(dǎo)體材料來制造...

2024-07-12 標(biāo)簽:集成電路晶體管半導(dǎo)體制程 854 0

外延片和拋光片區(qū)別在哪

外延片和拋光片是兩種不同的半導(dǎo)體材料加工工藝,它們?cè)谥圃爝^程中有著不同的應(yīng)用和特點(diǎn)。本文將介紹外延片和拋光片的區(qū)別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...

2024-07-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料金屬外延片 1556 0

SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

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對(duì)于摻雜的SiC外延片,紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率,因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層...

2023-08-05 標(biāo)簽:測(cè)試儀SiC紅外光譜 2045 0

氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區(qū)別

氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝,主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測(cè)處理等步驟。

2023-02-20 標(biāo)簽:集成電路晶體管氮化鎵 1.3萬 0

硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝

氮化鎵外延片指采用外延方法,使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來,在國家政策支持下,我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。

2023-02-06 標(biāo)簽:氮化鎵外延片硅基氮化鎵 4021 0

氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應(yīng)用

氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜,多采用兩步生長法,需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度,以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

2023-02-05 標(biāo)簽:氮化鎵外延片 5589 0

光電子應(yīng)用推動(dòng)砷化鎵晶圓和外延片市場(chǎng)進(jìn)入新時(shí)代

在GaAs射頻市場(chǎng)獲得成功之后,GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星 據(jù)麥姆斯咨詢介紹,作為最成熟的化合物半導(dǎo)體之一,GaAs無處不在,儼然成為每部智...

2018-09-04 標(biāo)簽:光電子gaas外延片 4450 0

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外延片資訊

華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲2024年“中國SiC外延影響力企業(yè)”稱號(hào)

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近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說三代半”主辦的“2024行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加,共...

2024-12-19 標(biāo)簽:SiC外延片華大半導(dǎo)體 413 0

普興電子擬建六寸低密缺陷碳化硅外延片產(chǎn)線

預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣,將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。

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半導(dǎo)體硅外延片制造商上海合晶上市

上海合晶硅材料股份有限公司(簡(jiǎn)稱“上海合晶”,股票代碼:688584)近期在科創(chuàng)板成功上市,成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)...

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上海合晶登陸科創(chuàng)板

近日,上海合晶硅材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“上海合晶”,股票代碼:688584)在上海證券交易所科創(chuàng)板成功上市,標(biāo)志著這家專注于半導(dǎo)體硅外延片制造的領(lǐng)先...

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上海合晶登陸科創(chuàng)板,成為我國少數(shù)具備全流程半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的企業(yè)

上海合晶此次募資總額高達(dá)13.9億元人民幣,這筆款項(xiàng)主要用于投資低阻單晶成長及優(yōu)質(zhì)外延研發(fā)項(xiàng)目,增設(shè)優(yōu)質(zhì)外延片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,以及補(bǔ)充運(yùn)營所需的流動(dòng)資...

2024-02-18 標(biāo)簽:單晶功率器件外延片 713 0

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2024-01-11 標(biāo)簽:ipo碳化硅外延片 4036 0

中電科南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地投產(chǎn),一期投資19.3億元

紫金山觀察消息顯示,該項(xiàng)目一期投資19.3億元,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)估新增年收入25億元,將形成8-12英寸硅外延片456萬片/年,6-8英寸化合物外延片12...

2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料外延片中電科 817 0

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此外,研磨技術(shù)的缺點(diǎn)還有統(tǒng)一性不高,多片加工時(shí)對(duì)外延片的厚度的組合比較苛刻,并且加工效率較低。如果將研磨后的外延片再進(jìn)行CMP處理,則需要較長的時(shí)間才能...

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 在國內(nèi)市場(chǎng)上,隨著越來越多的新參與者加入,碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié),如襯底、外延片、器件制造和應(yīng)用等,都有廠商進(jìn)行布局。

2023-09-19 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1113 0

上海合晶科創(chuàng)板IPO成功過會(huì)

據(jù)數(shù)據(jù)顯示,上海合晶是中國少數(shù)具有晶體增長、基板成型、外延增長全過程生產(chǎn)能力的硅半導(dǎo)體硅外延片,主要產(chǎn)品是硅半導(dǎo)體硅外延片。公司致力于業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)的研發(fā)...

2023-08-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體外延片 687 0

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外延片數(shù)據(jù)手冊(cè)

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