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標(biāo)簽 > 堆疊
堆疊是指將一臺(tái)以上的交換機(jī)組合起來(lái)共同工作,以便在有限的空間內(nèi)提供盡可能多的端口。多臺(tái)交換機(jī)經(jīng)過(guò)堆疊形成一個(gè)堆疊單元。
堆疊與級(jí)聯(lián)這兩個(gè)概念既有區(qū)別又有聯(lián)系。堆疊可以看作是級(jí)聯(lián)的一種特殊形式。它們的不同之處在于:級(jí)聯(lián)的交換機(jī)之間可以相距很遠(yuǎn)(在媒體許可范圍內(nèi)),而一個(gè)堆疊單元內(nèi)的多臺(tái)交換機(jī)之間的距離非常近,一般不超過(guò)幾米;級(jí)聯(lián)一般采用普通端口,而堆疊一般采用專(zhuān)用的堆疊模塊和堆疊電纜。
可靠性是另一關(guān)注的重點(diǎn)。目前,環(huán)球儀器SMT工藝實(shí)驗(yàn)室正在進(jìn)行的另一個(gè)項(xiàng)目就是堆疊裝配可靠性研究。從目前采用跌落測(cè)試的研究結(jié)果來(lái)看,失效主要發(fā)生在兩層元...
堆疊是指將多臺(tái)支持堆疊特性的交換機(jī)通過(guò)堆疊線(xiàn)纜連接在一起,從邏輯上虛擬成一臺(tái)交換設(shè)備,作為一個(gè)整體參與數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)。堆疊是目前廣泛應(yīng)用的一種橫向虛擬化技術(shù),...
晶圓級(jí)多層堆疊技術(shù)的兩項(xiàng)關(guān)鍵工藝
晶圓級(jí)封裝(Wafer Level Packaging,縮寫(xiě)WLP)是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),因其具有尺寸小、電性能優(yōu)良、散熱好、成本低等優(yōu)勢(shì),近年來(lái)發(fā)展迅...
隨著 5G 和人工智能等新型基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的不斷推進(jìn),單純通過(guò)縮小工藝尺寸、增加單芯片面積等方式帶來(lái)的系統(tǒng)功能和性能提升已難以適應(yīng)未來(lái)發(fā)展的需求。晶圓級(jí)多...
PCB的基礎(chǔ)方面包括介電材料,銅和走線(xiàn)尺寸以及機(jī)械層或尺寸層。用作電介質(zhì)的材料為PCB提供了兩個(gè)基本功能。
2.5D異構(gòu)和3D晶圓級(jí)堆疊正在重塑封裝產(chǎn)業(yè)
對(duì)于目前的高端市場(chǎng),市場(chǎng)上最流行的2.5D和3D集成技術(shù)為3D堆疊存儲(chǔ)TSV,以及異構(gòu)堆疊TSV中介層。Chip-on-Wafer-on-Substra...
Cisco 3750硬堆疊的配置方法,Cisco 3750堆疊有什么優(yōu)勢(shì)
3750堆疊區(qū)別于3550,3750是真正的堆疊,Catalyst 3750系列使用StackWise技術(shù),它是一種創(chuàng)新性的堆疊架構(gòu),提供了一個(gè)32Gb...
堆疊不是使用普通的線(xiàn)纜,而是有專(zhuān)用的堆疊線(xiàn)纜,將設(shè)備的主板直接連接,所以早期稱(chēng)之為背板堆疊技術(shù)。既然是直接在主板上連接(專(zhuān)用的堆疊端口),這樣就像是將主...
在可堆疊的IOS交換機(jī)中,可選擇0.5米、1米和3米這三種規(guī)格的StackWise堆疊電纜,用于不同堆疊類(lèi)型的交換機(jī)連接。如圖7-3所示的是一條0.5米...
先進(jìn)3D芯片堆疊的精細(xì)節(jié)距微凸點(diǎn)互連
本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(bump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一:瞬時(shí)液相(TLP)鍵合,在...
基于源抑制表項(xiàng)防止堆疊報(bào)文成環(huán)的實(shí)現(xiàn)方法立即下載
類(lèi)別:嵌入式技術(shù)論文 2017-12-07 標(biāo)簽:堆疊報(bào)文
芯片行業(yè)正在努力在未來(lái)幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 層增加到 800 層或更多,利用額外的容量將有助于滿(mǎn)足對(duì)各種類(lèi)型內(nèi)存...
HDI線(xiàn)路板 HDI板是一種高性能的電路板材料,它具有高密度、高可靠性和高互連性的特點(diǎn)。HDI板的制造過(guò)程涉及多個(gè)關(guān)鍵步驟,其中包括電鍍和堆疊兩個(gè)重要環(huán)...
3D-IC 設(shè)計(jì)之 Memory-on-Logic 堆疊實(shí)現(xiàn)流程
3D-IC 設(shè)計(jì)之 Memory-on-Logic 堆疊實(shí)現(xiàn)流程
2023-12-01 標(biāo)簽:芯片堆疊數(shù)據(jù)庫(kù) 713 0
1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無(wú)緣中國(guó)
NVIDIA H200的一大特點(diǎn)就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來(lái)自SK海力士),單顆容量就多達(dá)141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了...
華為首次公開(kāi)芯片堆疊專(zhuān)利,7nm有戲了?
根據(jù)企查查公開(kāi)的信息顯示,這項(xiàng)新專(zhuān)利的名稱(chēng)為“一種芯片封裝以及芯片封裝的制備方法”,申請(qǐng)日期為2020年12月16日,申請(qǐng)公布日為2023年8月4日,申...
華為公布“芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備”專(zhuān)利
芯片技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用概要,用于簡(jiǎn)化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備、芯片堆棧結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)。該芯片的堆疊結(jié)構(gòu)至少包括兩個(gè)堆疊的芯片,每一個(gè)...
存儲(chǔ)供應(yīng)商正在競(jìng)相為 3D NAND 添加更多層
西門(mén)子 EDA技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理 Ben Whitehead 表示:“處理器的摩爾定律在過(guò)去幾年中一直滯后,但對(duì)于 NAND 閃存來(lái)說(shuō)仍然存在并且很好 ?!?...
圖像失真是卷簾快門(mén)傳感器中經(jīng)常遇到的問(wèn)題,這往往是由于像素讀取的時(shí)間滯后引起的。正因如此,三層堆疊的圖像傳感器開(kāi)始出現(xiàn),將像素層、邏輯層和DRAM疊加在一起。
2022-06-10 標(biāo)簽:圖像傳感器堆疊移動(dòng)芯片 2510 0
英特爾展示了其基于nanoribbon板狀納米溝道的n/p型堆疊的器件
*CFET:Complementary Field Effect Transistor,是將nMOS和pMOS垂直堆疊的一種新型晶體管結(jié)構(gòu),通過(guò)將Con...
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