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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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在MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中,Vgs(柵極-源極電壓)和Vds(漏極-源極電壓)之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...
2024-09-29 標(biāo)簽:MOSFET源極場效應(yīng)晶體管 4727 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場效應(yīng)晶體管 320 0
VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
場效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型:JFET(結(jié)型)和MOS-FET(金屬-氧...
2024-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管電壓 300 0
在選擇場效應(yīng)晶體管(FET)時,需要考慮多個因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求,同時保證電路的性能和可靠性。以下是一個詳細(xì)的選擇場效應(yīng)晶體管的指南...
2024-09-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 507 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特...
2024-10-07 標(biāo)簽:JFET柵極場效應(yīng)晶體管 581 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件。它的核心特點(diǎn)在...
2024-10-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體JFET場效應(yīng)晶體管 731 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場效應(yīng)晶體管 2075 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場效應(yīng)晶體管 1760 0
Toshiba東芝場效應(yīng)晶體管硅N溝道MOS型英文手冊立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-08-21 標(biāo)簽:MOS場效應(yīng)晶體管 137 0
LF444-DIE 4路低功耗結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-11 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器場效應(yīng)晶體管 180 0
帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的非同步降壓穩(wěn)壓器TPS5403數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管降壓穩(wěn)壓器 168 0
同步降壓型集成場效應(yīng)晶體管(FET) 轉(zhuǎn)換器TPS51463 數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-24 標(biāo)簽:ti場效應(yīng)晶體管 108 0
同步降壓型集成場效應(yīng)晶體管(FET)轉(zhuǎn)換器TPS51462 數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-24 標(biāo)簽:電容器ti場效應(yīng)晶體管 121 0
SIMPLE SWITCHER? 40V、 5A 降壓轉(zhuǎn)換器LMR14050-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-17 標(biāo)簽:降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 183 0
22V 輸入,12A 集成場效應(yīng)晶體管 (FET) 轉(zhuǎn)換器TPS51367 數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 185 0
集成開關(guān)的高效 6A 降壓穩(wěn)壓器TPS53313數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-17 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管降壓穩(wěn)壓器 113 0
帶有集成場效應(yīng)晶體管(FET) 的3.1V至5.5V輸入,3A輸出同步降壓穩(wěn)壓器TPS51312數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-16 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管降壓穩(wěn)壓器 356 0
帶有集成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管TPS65270數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-11 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管金屬氧化物 168 0
IEDM2024:TSMC關(guān)于未來整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析
在技術(shù)推動下,半導(dǎo)體領(lǐng)域不斷突破界限,實(shí)現(xiàn)人工智能(AI)、高性能計(jì)算(HPC)、5G/6G、自動駕駛、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領(lǐng)域的變革性應(yīng)用。 AI Se...
2024-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管人工智能 333 0
射頻放大器信號處理方法 射頻放大器在信號處理中扮演著至關(guān)重要的角色,其處理方法涉及多個層面,以確保信號的有效放大和傳輸。以下是一些關(guān)鍵的射頻放大器信號處...
2024-12-13 標(biāo)簽:帶寬場效應(yīng)晶體管射頻放大器 437 0
安森美宣布將收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)
安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Ca...
2024-12-13 標(biāo)簽:安森美場效應(yīng)晶體管碳化硅 431 0
晶體管的基本結(jié)構(gòu) 晶體管主要分為兩大類:雙極型晶體管(BJT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(B...
MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)因其高輸入阻抗、低功耗和快速開關(guān)特性而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。 MOSFET的工作原理 在深入故障分...
2024-11-15 標(biāo)簽:MOS管電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管 556 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的一種功率放大器件,因其體積小、功耗低、驅(qū)動簡單等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,由于其...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 475 0
MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱MOSF...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管參數(shù)場效應(yīng)晶體管 2534 0
MOS管,全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
2024-11-05 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管金屬 536 0
2D多鰭FETs的高密度集成,搭臺引導(dǎo)外延的科技突破!
來源:科學(xué)之邦 【研究背景】 隨著摩爾定律的推進(jìn),傳統(tǒng)基于三維半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管(FETs)不斷縮小,這導(dǎo)致了設(shè)備性能的提升和晶體管密度的增加。然而,...
2024-09-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料 274 0
英飛凌IPD50N10S3L-16:高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書
概述: 功率MOS場效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管,工作電壓最高達(dá)到1kV(SiC:2kV),具有高開關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...
2024-08-12 標(biāo)簽:英飛凌MOS場效應(yīng)晶體管 268 0
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