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電子元器件是電子元件和電小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件,如電容、晶體管...
光通信器件的發(fā)展趨勢(發(fā)展史、發(fā)展現(xiàn)狀、面臨挑戰(zhàn)、發(fā)展建議)
本文首先介紹了中國光通信器件的發(fā)展史以及中國光器件技術(shù)和行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀,其次闡述了中國光通信器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn),最后介紹了光通信器件的發(fā)展趨勢以及發(fā)展我...
精英STM32F103開發(fā)板試用體驗(yàn):+OLED屏顯示功能的實(shí)現(xiàn)
鑒于STM32F103開發(fā)板沒有配置顯示屏,因此要顯示一些信息除了借助串行通訊,就必須為其添加相應(yīng)的顯示器件了。在初步掌握GPIO口的基礎(chǔ)上,最好是以O(shè)...
GAL的基本結(jié)構(gòu)_GAL的邏輯結(jié)構(gòu)
根據(jù)GAL器件的門陣列結(jié)構(gòu),可以把現(xiàn)有的GAL器件分為兩大類:一類與PAL器件基本相同,即與門陣列可編程,或門陣列固定連接,這類器件有GAL16V8,i...
SCD關(guān)于InAsSb nBn中波高溫器件和InAs/GaSb二類超晶格pBp長波器件的研發(fā)歷程
SCD的優(yōu)勢及主流產(chǎn)品主要是III-V族紅外探測器。20世紀(jì)90年代開始,SCD的研發(fā)重心就放在InSb上,早期主要研究離子注入型平面結(jié)工藝,工藝成熟后...
霍爾器件即利用霍爾效應(yīng)制成的半導(dǎo)體器件。置于磁場中的靜止載流導(dǎo)體,當(dāng)它的電流方向與磁場方向不一致時,載流導(dǎo)體上平行于電流和磁場方向上的兩個面之間產(chǎn)生電動...
什么是“芯片實(shí)驗(yàn)室”?微流控的優(yōu)勢在哪里?
在科學(xué)分析中,微流控技術(shù)相比于傳統(tǒng)宏觀尺度分析,具備更多優(yōu)點(diǎn),這主要是由于微流控回路中各個器件的尺寸大大減小,以及微小體積中流體行為的意外改變,例如低雷...
針對產(chǎn)品可靠性性能應(yīng)如何選擇環(huán)保環(huán)氧塑封料
環(huán)氧塑封料,又稱環(huán)氧模塑料、EMC(Epoxy Molding Compound),是后道封裝的主要原材料之一,它的發(fā)展是緊跟封裝技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展。隨著...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))ADC芯片的兩個指標(biāo),速度和精度指標(biāo)存在著相互制約的關(guān)系。高速/高精度ADC一直是國產(chǎn)廠商努力的方向,畢竟ADC實(shí)在是太關(guān)...
首先簡單介紹一下什么是WPE效應(yīng)。 工藝中,有一些物理效應(yīng),這些物理效應(yīng)在以前的老工藝中,比如180nm之前,影響基本可以忽略不計(jì),因此老工藝設(shè)計(jì)...
ADI的多款HT產(chǎn)品中都采用了自主研發(fā)的絕緣硅片雙極性工藝硅技術(shù)
ADI專為HT塑料封裝打造的線焊工藝是在高溫環(huán)境中保證封裝可靠性的另一項(xiàng)助力技術(shù)。普通的金/鋁線焊將隨著溫度的升高而退化,形成含空隙的易碎金屬間化合物,...
談?wù)勂桨咫娔X類產(chǎn)品PCB設(shè)計(jì)的流程及Layout設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
人建議做法:選擇所有的DXF layer圖層,統(tǒng)一映射到某個名稱的Subclass層;不建議直接映射到BOARD GEOMETRY/OUTLINE,因?yàn)?..
因此,在選擇器件時,有必要了解其結(jié)構(gòu)和可能的老化相關(guān)失效機(jī)制;即使在理想條件下使用器件,這些機(jī)制也可能發(fā)生影響。本欄目不會詳細(xì)討論失效機(jī)制,但多數(shù)聲譽(yù)良...
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