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第三代紅外探測(cè)器的概念出現(xiàn)在20世紀(jì)90年代,其標(biāo)準(zhǔn)可以歸納為SWaP3,即更小尺寸、更低重量以及更高性能、更小功率、更低成本,如圖1所示。一方面可通過(guò)...
2023-09-10 標(biāo)簽:探測(cè)器數(shù)據(jù)顯微鏡 966 0
白光干涉儀(光學(xué)輪廓儀):揭秘測(cè)量坑的形貌的利器!
SuperViewW1白光干涉儀結(jié)合數(shù)字圖像處理技術(shù)和三維重建算法來(lái)提高測(cè)量的精度和效率,揭秘并測(cè)量坑的形貌,為科學(xué)研究和工程實(shí)踐提供更有力的支持。
MOS管,全稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),是一...
當(dāng)然,操作IGBT,不再是手,而是電子脈沖。高電平來(lái)臨時(shí),器件開(kāi)通;低電平來(lái)臨時(shí),器件就關(guān)斷。手動(dòng)操作開(kāi)關(guān),可能一秒鐘一兩次,而我們的電子開(kāi)關(guān),一秒鐘可...
2023-04-04 標(biāo)簽:IGBT器件驅(qū)動(dòng)電機(jī) 888 0
穩(wěn)壓二極管是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的器件,具有穩(wěn)定電壓的作用。它的主要參數(shù)和影響因素直接決定了其在實(shí)際應(yīng)用中的性能和適用范圍。1.穩(wěn)壓電壓(Vz)穩(wěn)壓...
2024-08-08 標(biāo)簽:二極管穩(wěn)壓二極管整流 638 0
如何實(shí)現(xiàn)高遷移率發(fā)光有機(jī)半導(dǎo)體材料和實(shí)現(xiàn)高效OLETs器件構(gòu)筑
有機(jī)發(fā)光晶體管(OLETs)是兼具有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFETs)和有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)功能的小型化光電集成器件,具有制備工藝簡(jiǎn)單、集成更容易等優(yōu)...
研究人員研制一種近紅外低維探測(cè)材料吸收增強(qiáng)器件
低維薄層材料具有特殊的半導(dǎo)體性質(zhì)和顯著的激子性質(zhì),在能源存儲(chǔ)、傳感成像、生物醫(yī)學(xué)等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。相比傳統(tǒng)體材料,低維材料具有新穎的光學(xué)與電學(xué)性...
555定時(shí)器是一種廣泛使用的集成電路,它具有多種功能,如產(chǎn)生精確的時(shí)間延遲、振蕩器、脈沖調(diào)制器等。然而,隨著電子技術(shù)的發(fā)展,一些新型的器件和方法已經(jīng)出現(xiàn)...
門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
/引言/對(duì)于半導(dǎo)體功率器件來(lái)說(shuō),門(mén)極電壓的取值對(duì)器件特性影響很大。以前曾經(jīng)聊過(guò)門(mén)極負(fù)壓對(duì)器件開(kāi)關(guān)特性的影響,而今天我們來(lái)一起看看門(mén)極正電壓對(duì)器件的影響。...
2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)器件 458 0
引言:在我們使用有源振蕩器的時(shí)候,你是否注意到器件有一個(gè)特殊的引腳呢?通常這個(gè)引腳被廠(chǎng)家定位在第1-pin,該引腳被賦予了使能(OE)或待機(jī)(/ST)的...
從Level1 Model到Level3 Modle來(lái)感受器件模型是如何開(kāi)發(fā)的
? ? ? ?本文從Level1 model到Level3 model的Ids電流公式的發(fā)展來(lái)感受Compact器件模型是如何開(kāi)發(fā)的。 MOS技術(shù)擴(kuò)展到...
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