合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。

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合肥長鑫技術(shù)

長鑫原廠DRAM顆粒的臺電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測評方案

一、前言：長鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商可能很多同學(xué)提到臺電內(nèi)存，可能會覺得他們不是一線頂尖品牌，顆粒使用上也不會有什么亮點(diǎn)，不過這一次...

2020-10-30 標(biāo)簽：DRAM 內(nèi)存芯片合肥長鑫 7169 0

為何控制器芯片如此重要？存儲控制器國產(chǎn)芯之路的走向

國內(nèi)存儲器三大劍客長江存儲、合肥長鑫、福建晉華最近動作頻仍，紛紛投資擴(kuò)建，助力存儲器芯片的研發(fā)與量產(chǎn)。而數(shù)千億元的投入只為補(bǔ)齊存儲器領(lǐng)域的“短板”，在國...

2018-05-14 標(biāo)簽：長江存儲合肥長鑫存儲器控制器 9515 0

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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