合肥長(zhǎng)鑫

合肥長(zhǎng)鑫動(dòng)態(tài)

• 聯(lián)發(fā)科出售唯捷創(chuàng)芯股權(quán)；原材料價(jià)格瘋漲 已波及到家電行業(yè) | 一周科技點(diǎn)評(píng)

  3月5日，聯(lián)發(fā)科發(fā)布公告稱，子公司Gaintech一年內(nèi)累積出售唯捷創(chuàng)芯6.66%股權(quán)，共899.5萬(wàn)股，每股人民幣28

  2021-03-07 標(biāo)簽： 聯(lián)發(fā)科 LG 小米 7000 0

• 百億融資受關(guān)注！從存儲(chǔ)芯片到5G毫米波濾波器 5G融資領(lǐng)域四大事件逐個(gè)看

  近日，企查查大數(shù)據(jù)研究院發(fā)布《我國(guó)5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報(bào)告》，報(bào)告顯示2015-2020年的5年間，中國(guó)5G產(chǎn)業(yè)累計(jì)發(fā)生35

  2021-03-01 標(biāo)簽： DRAM 毫米波 合肥長(zhǎng)鑫 5983 0

• 合肥長(zhǎng)鑫加速開發(fā)17nm工藝內(nèi)存研發(fā)

  在量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)8Gb DDR4芯片之后，合肥長(zhǎng)鑫日前又獲得了156億元的巨額投資，將加速開發(fā)17nm工藝的DDR5內(nèi)存研

  2020-12-18 標(biāo)簽： 芯片 存儲(chǔ)器 合肥長(zhǎng)鑫 4442 0

• 集邦咨詢郭祚榮：2021年內(nèi)存行業(yè)預(yù)期成長(zhǎng)17.6%，智能手機(jī)和服務(wù)器需求是兩大增長(zhǎng)動(dòng)力

  11月12日，在研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2021存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)”上，集邦咨詢研究副總經(jīng)理郭祚榮

  2020-11-13 標(biāo)簽： DRAM 三星電子 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 6678 0

• NOR Flash主要廠商及產(chǎn)品

  據(jù)集邦咨詢2020第一季NOR Flash廠商市占數(shù)據(jù)，NOR Flash營(yíng)收市占第一是旺宏，其制程在業(yè)界相對(duì)領(lǐng)先，目前

  2020-11-08 標(biāo)簽： 英飛凌 NOR 武漢新芯 25669 0

• 長(zhǎng)鑫原廠DRAM顆粒的臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存詳細(xì)測(cè)評(píng)方案

  一、前言：長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存，可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌，顆粒使

  2020-10-30 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存芯片 合肥長(zhǎng)鑫 7143 0

• 國(guó)產(chǎn)內(nèi)存條量產(chǎn)，DRAM芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速！

  近兩年，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、

  2020-07-14 標(biāo)簽： DRAM 內(nèi)存條 合肥長(zhǎng)鑫 11176 0

• LPDDR5時(shí)代即將到來(lái)，國(guó)產(chǎn)廠商迎來(lái)新機(jī)遇

  合肥長(zhǎng)鑫所在地的安徽省日前發(fā)布了《重點(diǎn)領(lǐng)域補(bǔ)短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》文件，該方案要求通過2-3年時(shí)間，重

  2020-07-03 標(biāo)簽： DRAM 合肥長(zhǎng)鑫 LPDDR5 6717 0

• 中國(guó)最牛風(fēng)投：合肥市政府

  私募大佬在微博轉(zhuǎn)了一條段子，是這么說的：轉(zhuǎn)：中國(guó)最牛逼的風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)其實(shí)是合肥市政府，2007年，拿出全市三分之一的財(cái)政

  2020-06-12 標(biāo)簽： 京東方 合肥 合肥長(zhǎng)鑫 11031 0

• 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)與Rambus簽署協(xié)議，可獲取更多有關(guān)DRAM的專利；三星電子目標(biāo)到 2030 年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域全球第一…

  4 月 28 日訊，近日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司與美國(guó)半導(dǎo)體公司 Rambus 簽署專利許可協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從 R

  2020-04-29 標(biāo)簽： 合肥長(zhǎng)鑫 4632 0

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