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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?!癕OSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的...
2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 666 0
碳化硅MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,它的工作原理...
GaN是一種無(wú)機(jī)物質(zhì),其化學(xué)式為GaN,是氮和鎵的化合物,是自1990年以來(lái)常用于發(fā)光二極管的直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物在結(jié)構(gòu)上類似于金雞石,具有高硬...
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體即寬帶隙半導(dǎo)體,具有高頻、高效率、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等優(yōu)異性能,滿足了節(jié)能減排等國(guó)家重大戰(zhàn)略需求,智...
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是,當(dāng)電壓通過(guò)碳化硅二極管時(shí),電子會(huì)...
碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物,它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能,具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...
半導(dǎo)體變遷史科普:計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世
無(wú)可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù),它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高外延片的性能。
氮化鎵外延片是一種由氮化鎵制成的薄片,它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件。氮化鎵外延片具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性,可以用于制造高精度的零件和...
金剛石半導(dǎo)體應(yīng)用與優(yōu)缺點(diǎn)
金剛石半導(dǎo)體是指將人造金剛石用作半導(dǎo)體材料的技術(shù)和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導(dǎo)率、電絕緣性、硬度和化學(xué)穩(wěn)定性,因此金剛石半導(dǎo)體可以用于制造高功率、高頻...
AIN/AIGaN/GaN MIS異質(zhì)結(jié)構(gòu)C-V分析
C-V測(cè)試是研究絕緣柵HEMT器件性能的重要方法,采用Keithley 4200半導(dǎo)體表征系統(tǒng)的CVU模塊測(cè)量了肖特基柵和絕緣柵異質(zhì)結(jié)構(gòu)的C-V特性。
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝,在新一代高...
高速熔斷器,又叫半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲,是開發(fā)應(yīng)用于半導(dǎo)體電路過(guò)流保護(hù)的器件,高速熔斷器能夠在10ms甚至更短時(shí)間響應(yīng),從而起到更可靠的保護(hù)
晶體二極管也稱為半導(dǎo)體二極管,簡(jiǎn)稱二極管。內(nèi)部由一塊P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體經(jīng)特殊工藝加工,在其接觸面上形成一個(gè)PN結(jié)。外部有兩個(gè)電極,分別稱為正極(P型...
增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理
通常將柵極與襯底連接在一起,這樣襯底與柵極之間就形成電容,當(dāng)柵極與源極之間電壓變化時(shí),將改變襯底靠近絕緣層出的感應(yīng)電荷的多少,從而控制漏極電流大小。
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
在PN結(jié)施加反向電壓,耗盡層會(huì)逐漸變寬,通過(guò)改變耗盡層寬度來(lái)對(duì)導(dǎo)電通道進(jìn)行控制。
2023-02-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7179 0
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