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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      +關(guān)注330人關(guān)注

      半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

      文章：24532個(gè) 瀏覽：220902次 帖子：1050個(gè)

      半導(dǎo)體技術(shù)

      砷化鎵半導(dǎo)體材料應(yīng)用 發(fā)展現(xiàn)狀如何

      　　砷化鎵是第三代半導(dǎo)體，它是在第二代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，具有更高的電子遷移率、更高的熱導(dǎo)率、更高的光學(xué)性能、更高的熱穩(wěn)定性、更高的電磁屏蔽性能和...

      2023-02-16 標(biāo)簽：傳感器半導(dǎo)體電路板 2016 0

      砷化鎵半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)與制備過(guò)程

      砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，它是由鎵（Ga）和砷（As）組成的化合物，具有較高的電子遷移率和較低的漏電流，因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝電子器件 3479 0

      寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用和發(fā)展

      　　寬帶隙半導(dǎo)體是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，其特性是具有較寬的能帶隙，可以吸收和發(fā)射更多的光子，從而提高半導(dǎo)體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、激光...

      2023-02-16 標(biāo)簽：太陽(yáng)能半導(dǎo)體電池 1674 0

      PNP和NPN三極管的區(qū)別 三極管電流放大的原理

      PNP和NPN三極管的區(qū)別 三極管電流放大的原理

      　　三極管是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，具有電流放大作用。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩...

      2023-02-16 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體PN結(jié) 4195 0

      三極管的管腳極性判定方法

      三極管的管腳極性判定方法

      　　三極管是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)， 也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用...

      2023-02-16 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體管腳 3478 0

      NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

      NMOS、PMOS、CMOS的結(jié)構(gòu)介紹

      咱們前幾期講的一直是NMOS，導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點(diǎn)在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反，是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...

      2023-02-16 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體NMOS 1.1萬(wàn) 0

      MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)

      MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)

      上一期中提到 當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí)，溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng)，溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化，但是當(dāng)精度要求比較高...

      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體NMOS 862 0

      MOSFET的尺寸及伏安特性

      MOSFET的尺寸及伏安特性

      Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸，包括溝道的有效長(zhǎng)度L_eff（導(dǎo)體的長(zhǎng)度L_drawn略大于L_eff），溝道的寬度W，絕緣層...

      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體伏安特性 2929 0

      MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)符號(hào)和電學(xué)特性

      MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)符號(hào)和電學(xué)特性

      　　現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET，學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。

      2023-02-16 標(biāo)簽：放大器MOSFET半導(dǎo)體 4499 0

      化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

      碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來(lái)隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長(zhǎng)速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝功率器件 9963 0

      十大步驟詳解芯片光刻的流程

      十大步驟詳解芯片光刻的流程

      在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂?，我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人N...

      2023-02-16 標(biāo)簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 5735 0

      碳化硅在半導(dǎo)體中有什么好處？

      來(lái)幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長(zhǎng)。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 885 0

      SiC肖特基勢(shì)壘二極管更新?lián)Q代步履不停

      SiC肖特基勢(shì)壘二極管更新?lián)Q代步履不停

      ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC　SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小...

      2023-02-16 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 751 0

      R53 OBC EMI輸入濾波器的典型應(yīng)用

      R53 OBC EMI輸入濾波器的典型應(yīng)用

      電子行業(yè)最持久的趨勢(shì)之一是小型化。電力電子設(shè)計(jì)人員的目標(biāo)是通過(guò)使用WBG半導(dǎo)體器件來(lái)提高轉(zhuǎn)換效率。WBG 器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率和高溫下工作。它們的使用可...

      2023-02-16 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體濾波器 747 0

      KEMET R53 X2電容器

      KEMET R53 X2電容器

      電力電子設(shè)計(jì)人員不斷嘗試通過(guò)提高轉(zhuǎn)換效率來(lái)減小整體設(shè)計(jì)尺寸。他們這樣做的一種方法是使用寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體相比，WBG 器件可以在更...

      2023-02-16 標(biāo)簽：電容器轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 251 0

      氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用

      氮化鎵（GaN）是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物，是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與碳化硅（SiC）并稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...

      2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體化合物GaN 1582 0

      晶閘管的基礎(chǔ)知識(shí)

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      　　晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng)，又稱(chēng)作可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)，以前被簡(jiǎn)稱(chēng)...

      2023-02-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體整流器可控硅 2240 0

      NPN型三極管和PNP型三極管的定義及使用區(qū)別

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      　　NPN型三極管是指由兩塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成的三極管；也稱(chēng)為晶體三極管，可以說(shuō)它是電子電路中最重要的器件。三極管是電子電路中最重要...

      2023-02-15 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體電子電路 6994 0

      碳化硅MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)和模塊設(shè)計(jì)

      碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 689 0

      碳化硅MOSFET的使用方法和效率高的原因

      　　碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 881 0

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      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
      • 服務(wù)機(jī)器人
        服務(wù)機(jī)器人
        +關(guān)注
        服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • OBD
        OBD
        +關(guān)注
        OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車(chē)載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
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