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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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雙鈣鈦礦材料穩(wěn)定性的快速計(jì)算預(yù)測(cè)
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬...
晶圓背面研磨(Back Grinding)工藝簡(jiǎn)介
經(jīng)過(guò)前端工藝處理并通過(guò)晶圓測(cè)試的晶圓將從背面研磨(Back Grinding)開(kāi)始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序,其目的不僅是為了減少晶圓厚度...
我們的谷德海普的客服反饋,經(jīng)常遇到一些用戶詢問(wèn)到我們的烙鐵頭使用什么熱電偶型號(hào)。把客服問(wèn)懵了,烙鐵頭的生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中沒(méi)有使用到單獨(dú)的熱電偶呀,哪來(lái)的具體型...
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡(jiǎn)化了X波段雷達(dá)設(shè)計(jì)
性能參數(shù)因應(yīng)用而異,雷達(dá)系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍,可用于海上導(dǎo)...
三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿,你更看好誰(shuí)
在代工行業(yè),采用先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)更能帶來(lái)明顯的成本競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。2020年,臺(tái)積電(TSMC)是業(yè)界唯一同時(shí)使用7nm和5nm工藝節(jié)點(diǎn)用于IC制造的企業(yè),此舉...
企業(yè)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中碳化硅的使用使氣候和商業(yè)受益
碳化硅是一種復(fù)雜的材料,需要太陽(yáng)溫度一半的受控環(huán)境和高度專業(yè)化的晶體結(jié)構(gòu)。它是人類已知的第二硬材料,在200+種可能的晶體形成中,只有一種可以用來(lái)制造半...
SpeedVal Kit平臺(tái)采用模塊化方法簡(jiǎn)化評(píng)估
新一代功率半導(dǎo)體將以碳化硅(SiC)技術(shù)為推動(dòng)力,服務(wù)于快速增長(zhǎng)的純電動(dòng)汽車(BEV)市場(chǎng)和充電基礎(chǔ)設(shè)施,滿足日益提高的能效標(biāo)準(zhǔn)要求,并滿足工業(yè)和可再生...
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 308 0
SpeedVal Kit生態(tài)系統(tǒng)簡(jiǎn)化碳化硅部件評(píng)估過(guò)程并縮短設(shè)計(jì)時(shí)間
新一代功率半導(dǎo)體的高功率應(yīng)用正在越來(lái)越多地使用碳化硅 (SiC) 部件,來(lái)滿足電動(dòng)汽車 (EV)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域?qū)Ω吖β拭芏?、更高效?..
2023-05-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體SiC 511 0
本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
封裝測(cè)試是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的重要一環(huán),在電子產(chǎn)品向小型化、集成化方向發(fā)展的趨勢(shì)下,系統(tǒng)級(jí)封裝SIP(System In a Package系統(tǒng)級(jí)封裝)受...
為什么礦機(jī)電源對(duì)效率和可靠性要求越來(lái)越高
作為半導(dǎo)體材料,SiC具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),這便給SiC器件帶來(lái)了諸多特征參數(shù)方面的提升,比如更低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)...
伺服驅(qū)動(dòng)器是用來(lái)控制伺服電機(jī)的一種控制器,其作用類似于變頻器作用于普通交流馬達(dá),屬于伺服系統(tǒng)的一部分主要應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。
2023-05-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變頻器定位系統(tǒng) 2723 0
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之DEC模塊運(yùn)行流程
確認(rèn)TSC模塊完成后,回到ZnGeP2目錄,使用命令 dasp 3 執(zhí)行DEC模塊。DEC模塊會(huì)在第一步已經(jīng)生成的dec目錄中繼續(xù)輸出相關(guān)文件,包括缺陷...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之PREPARE模塊運(yùn)行流程
新建目錄ZnGeP2,在./ZnGeP2/目錄內(nèi)同時(shí)準(zhǔn)備好以上的POSCAR文件與 dasp.in 文件,執(zhí)行 dasp 1 ,即可啟動(dòng)PREPARE模...
ZnGeP2的本征缺陷計(jì)算之準(zhǔn)PREPARE
ZnGeP2是一種非線性光學(xué)材料,但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用,實(shí)驗(yàn)上認(rèn)為這些吸收與點(diǎn)缺陷相關(guān)。因此,有必要對(duì)ZnGeP2的點(diǎn)缺陷性質(zhì)開(kāi)展...
除了氮化鎵,快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...
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