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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度...
半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)
集成電路前道工藝及對(duì)應(yīng)設(shè)備主要分八大類,包括光刻(光刻機(jī))、刻蝕(刻蝕機(jī))、薄膜生長(PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備)、擴(kuò)散(擴(kuò)散...
二極管及其電路設(shè)計(jì)應(yīng)用(8個(gè)作用詳解)
二極管是最簡單的雙極性半導(dǎo)體,A為正極,B為負(fù)極,具有單向?qū)щ姽δ埽娏鲝腁流向B。
2023-05-30 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì) 2574 0
基于ZEMAX的半導(dǎo)體激光器勻光設(shè)計(jì)
摘要 :為了滿足半導(dǎo)體激光器能量均勻化的應(yīng)用需求,基于ZEMAX光學(xué)設(shè)計(jì)軟件設(shè)計(jì)了一套光束整形勻光系統(tǒng)。 采用非球面鏡與倒置柱面鏡望遠(yuǎn)系統(tǒng)的透鏡組合對(duì)單...
2023-05-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器光學(xué)設(shè)計(jì) 2030 0
電光調(diào)制器是現(xiàn)代通信產(chǎn)業(yè)的核心部件,用來將計(jì)算機(jī)設(shè)備中的高速電子信號(hào)轉(zhuǎn)化為光信號(hào),從而能夠在光纖中實(shí)現(xiàn)信息的遠(yuǎn)距離高速傳輸;同時(shí),它們還有望成為量子光子...
電吸收調(diào)制原理是:Franz_Keldysh效應(yīng)和stark效應(yīng),但主要是stark效應(yīng)。stark效應(yīng)簡單說來就是半導(dǎo)體量子井材料在外加電場作用下,禁...
半導(dǎo)體收音機(jī)用振蕩線圈此振蕩線圈在半導(dǎo)體收音機(jī)中與可變電容器等組成本機(jī)振蕩電路,用來產(chǎn)生一個(gè)輸入調(diào)諧電路接收的電臺(tái)信號(hào)高出465kHz的本振信號(hào)。其外部...
高壓直流電源用于加速離子,大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過離子源產(chǎn)生離子,需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾...
場效應(yīng)晶體管(FET)是利用電場效應(yīng)來控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件,因此叫場效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)管和金屬...
2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 1049 0
LTCC/HTCC基板在晶圓測(cè)試探針卡中的應(yīng)用
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的制造流程上,主要可分成IC設(shè)計(jì)、晶圓制程、晶圓測(cè)試及晶圓封裝四大步驟。 其中所謂的晶圓測(cè)試,就是對(duì)晶圓上的每顆晶粒進(jìn)行電性特性檢測(cè),以檢測(cè)...
LPDDR5:滿足應(yīng)用的功耗、性能、帶寬和可靠性要求
半導(dǎo)體行業(yè)正在嗡嗡作響的新技術(shù)——人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等。– 通過簡化我們的日常生活并顯著提高性能、帶寬以及可靠的數(shù)據(jù)處...
氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)
氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體,也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外,氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常...
MXene范德華接觸在氮化鎵高電子遷移率晶體管中的應(yīng)用
摘要:柵極控制能力是決定氮化鎵高電子遷移率晶體管性能的關(guān)鍵因素。然而在金屬-氮化鎵界面,金屬和半導(dǎo)體的直接接觸會(huì)導(dǎo)致界面缺陷和固定電荷,這會(huì)降低氮化鎵高...
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì),特別是,當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí),金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而,...
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展
近期,美國南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...
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