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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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半導(dǎo)體封裝的發(fā)展趨勢(shì)、結(jié)構(gòu)及類型
經(jīng)過半導(dǎo)體制造(FAB)工序制備的電路圖形化晶圓容易受溫度變化、電擊、化學(xué)和物理性外部損傷等各種因素的影響。為了彌補(bǔ)這些弱點(diǎn),將芯片與晶圓分離后再進(jìn)行包...
晶體三極管是控制電流的半導(dǎo)體器件,工作原理是通過在三極管的兩端施加合適電壓來控制三極管另一端的電流,主要作用是用于開關(guān)、放大等。
2023-07-28 標(biāo)簽:三極管開關(guān)電路半導(dǎo)體 4784 0
碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...
TVS二極管的工作原理、主要參數(shù)及應(yīng)用
TVS(Transient Voltage Suppressors)二極管,是在齊納二極管工藝基礎(chǔ)上發(fā)明的一種新型高效電路保護(hù)元器件,亦稱TVS管、瞬態(tài)...
GaN開發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時(shí)的要點(diǎn)
隨著能夠高頻驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動(dòng)頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會(huì)有很大的...
2023-08-22 標(biāo)簽:變壓器半導(dǎo)體開關(guān)電源 1086 0
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 972 0
順應(yīng)新版國(guó)標(biāo)政策,首選瑞森半導(dǎo)體LLC方案
應(yīng)對(duì)照明領(lǐng)域新版國(guó)標(biāo)-GB/T 17625.1-2022的實(shí)施,選擇瑞森半導(dǎo)體LLC方案助你實(shí)現(xiàn)優(yōu)秀可靠的產(chǎn)品。
三極管的工作狀態(tài)、主要參數(shù)及電路應(yīng)用
三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,由兩個(gè)PN結(jié)組成,兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。
AC/DC 解決方案如何實(shí)現(xiàn)空間受限應(yīng)用的效率提升
低碳時(shí)代正在引領(lǐng)芯片向更小、更高效的方向發(fā)展。開關(guān)電源在80年代替代線性電源之后,電源效率得到了極大的提升,尺寸也大大減少。隨著開關(guān)電源在各個(gè)應(yīng)用上的不...
金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用
電半導(dǎo)體裝置是現(xiàn)代電動(dòng)電子設(shè)備的基本成分,用于操縱高壓電流和電流,以及轉(zhuǎn)換和管理電力能源,這些裝置在電力電子應(yīng)用中至關(guān)重要,包括電力供應(yīng)、汽車驅(qū)動(dòng)器、可...
現(xiàn)在,發(fā)展迅猛的自動(dòng)化技術(shù)在我國(guó)掀起了熱潮,我們對(duì)機(jī)器視覺的認(rèn)識(shí)加深,每個(gè)人對(duì)它的看法發(fā)生了巨變。機(jī)器視覺系統(tǒng)讓大批量、持續(xù)生產(chǎn)的自動(dòng)化程度提高了,大大...
本文通過對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式...
來源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通...
酸蝕刻對(duì)鈦醫(yī)藥材料納米形態(tài)表面特性及活化能的影響
鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性,并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成,保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介...
半導(dǎo)體后端工藝:了解半導(dǎo)體測(cè)試(下)
晶圓測(cè)試的對(duì)象是晶圓,而晶圓由許多芯片組成,測(cè)試的目的便是檢驗(yàn)這些芯片的特性和品質(zhì)。為此,晶圓測(cè)試需要連接測(cè)試機(jī)和芯片,并向芯片施加電流和信號(hào)。
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