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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅(Si)無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性,并說明了為什么碳化硅二極管(SiC)在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢。
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件,而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件,它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對現(xiàn)代科技的...
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的元件之一,其穩(wěn)定性對于設(shè)備的性能和可靠性至關(guān)重要。為了提高晶體管的穩(wěn)定性,有幾個(gè)關(guān)鍵的方面需要考慮和優(yōu)化。
SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎?
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,不能直接制作在碳化硅單晶材料上,必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料,并在外延層上制造各類器件。
晶體管是一種有源元件,遍布電子電路。它們用作放大器和開關(guān)設(shè)備。作為放大器,它們用于高電平和低電平、頻率級、振蕩器、調(diào)制器、檢測器以及任何需要執(zhí)行功能的電...
化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟,其作用在于減少晶圓表面的不平整,而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,價(jià)值量較高,分別占CMP耗材49%和...
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解
20世紀(jì)60年代以前,半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光,得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后,...
從基礎(chǔ)硬件、計(jì)算架構(gòu)到技術(shù)挑戰(zhàn),詳解存算一體技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢
在馮·諾依曼架構(gòu)中,數(shù)據(jù)從存儲(chǔ)單元外的存儲(chǔ)器獲取,處理完畢后再寫回存儲(chǔ)器,計(jì)算核心與存儲(chǔ)器之間有限的總帶寬直接限制了交換數(shù)據(jù)的速度,計(jì)算核心處理速度和訪...
一文了解倒裝芯片技術(shù) 半導(dǎo)體封裝技術(shù)簡介
從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
? 什么是MOS管? MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...
2023-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 1.8萬 0
弱相互作用對有機(jī)光電性質(zhì)調(diào)控的理論研究
相較于共價(jià)鍵相互作用,分子內(nèi)非共價(jià)相互作用是一種弱的兩個(gè)原子之間或者兩個(gè)基團(tuán)之間的非鍵相互作用。
芯片封裝技術(shù)有哪些?最全的芯片封裝技術(shù)講解
也稱CPAC(globe top pad array carrier)。球形觸點(diǎn)陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代...
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種重要的電子器件。它的工作原理基于半導(dǎo)體材料與金屬電極之間的界面效應(yīng)。
2023-07-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管開關(guān)器件 1603 0
有兩個(gè)因素影響CMOS集成電路的速度,即柵延遲和互連延遲。柵延遲是指MOSFET開關(guān)的時(shí)間;互連延遲由芯片設(shè)計(jì)、工藝技術(shù),以及互連的導(dǎo)體和電介質(zhì)材料決定。
2023-07-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì) 1278 0
反向雪崩擊穿和正向浪涌魯棒性是半導(dǎo)體功率器件在高電場和大電流密度等極端條件下非平衡載流子動(dòng)力學(xué)的基本特征,也是所有元器件在電動(dòng)汽車、軌道交通、電網(wǎng)和新能...
2023-07-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率二極管半導(dǎo)體 1548 0
半導(dǎo)體所觀測到各向異性平面能斯特效應(yīng)介紹
磁性材料是構(gòu)成現(xiàn)代工業(yè)的重要基礎(chǔ)性材料,在永磁電機(jī)、磁制冷、磁傳感、信息存儲(chǔ)、熱電器件等領(lǐng)域扮演著重要角色。
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