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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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光刻是半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn)...
使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導(dǎo)制造與蝕刻材料對(duì)非晶硅進(jìn)行納米級(jí)厚度控制
我們?nèi)A林科納通過(guò)光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測(cè)用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻,以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅(a-Si:H)膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的...
2023-08-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體監(jiān)測(cè)蝕刻 539 0
半導(dǎo)體有關(guān)概念 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性
半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運(yùn)載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。
FPGA學(xué)習(xí)筆記:PLL IP核的使用方法
IP(Intellectual Property)是知識(shí)產(chǎn)權(quán)的意思,半導(dǎo)體行業(yè)的IP是“用于ASIC或FPGA中的預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路功能模塊”。一些常用的...
半導(dǎo)體的檢測(cè)與分析是一個(gè)介于基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究之間的設(shè)計(jì)內(nèi)容很廣而又不斷蓬勃發(fā)展的領(lǐng)域,在半導(dǎo)體材料的研究中,電阻率,載流子密度和遷移率是測(cè)試的關(guān)鍵參數(shù)...
半導(dǎo)體封裝技術(shù)簡(jiǎn)介 什么是倒裝芯片技術(shù)?
從事半導(dǎo)體行業(yè),尤其是半導(dǎo)體封裝行業(yè)的人,總繞不開(kāi)幾種封裝工藝,那就是芯片粘接、引線鍵合、倒裝連接技術(shù)。
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
隨著科技的快速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面,從手機(jī)、電腦到各種高精尖的工業(yè)設(shè)備中。而在這些技術(shù)背后,金作為一種貴金屬,以其獨(dú)特的物理和化...
2023-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)CMP 1904 0
半導(dǎo)體技術(shù)在當(dāng)今社會(huì)已成為高科技產(chǎn)品的核心,而在半導(dǎo)體制造的各個(gè)環(huán)節(jié)中,銅憑借其出色的性能特點(diǎn),已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中,銅主要被用...
2023-08-19 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù) 2438 0
基于LAMP和MOSFET的Hi-Fi耳機(jī)放大器電路圖
任何追求高品質(zhì)音頻再現(xiàn)的發(fā)燒友都需要一個(gè) Hi-Fi 耳機(jī)放大器。強(qiáng)大的混合設(shè)計(jì)結(jié)合了真空管 (LAMP) 和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFE...
有關(guān)超聲波晶片測(cè)溫中的薄膜效應(yīng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告
溫度是半導(dǎo)體加工中需要監(jiān)測(cè)和控制的關(guān)鍵參數(shù)。我們使用了一種超聲波技術(shù),其中利用硅片中最低階反對(duì)稱蘭姆波速度的溫度依賴性在20-1OO中進(jìn)行原位溫度測(cè)量“...
半導(dǎo)體材料能產(chǎn)生光的基礎(chǔ)知識(shí)早在50年以前就已被人們所認(rèn)識(shí),1962年通用電氣公司尼克?何倫亞克(NickHolonyakJr.)研制成功了第一個(gè)在實(shí)際...
隨著云計(jì)算和“雙千兆”網(wǎng)絡(luò)建設(shè)熱潮的出現(xiàn),巨大的市場(chǎng)需求促使數(shù)據(jù)中心進(jìn)一步向大型化、集中化轉(zhuǎn)變,帶動(dòng)高速率及中長(zhǎng)距離光模塊的快速發(fā)展。目前全球主要的云廠...
2023-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體網(wǎng)絡(luò)通信激光焊接 816 0
芯片研發(fā)環(huán)節(jié)的可靠性測(cè)試
碳化硅作為第三代半導(dǎo)體經(jīng)典的應(yīng)用,具有眾多自身優(yōu)勢(shì)和技術(shù)優(yōu)勢(shì),它所制成的功率器件在生活中運(yùn)用十分廣泛,越來(lái)越無(wú)法離開(kāi),因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性在一定程...
無(wú)功補(bǔ)償(SVG)與靜態(tài)無(wú)功補(bǔ)償(SVC)的區(qū)別有哪些?
SVG無(wú)功補(bǔ)償是一種電力系統(tǒng)中常用的無(wú)功補(bǔ)償技術(shù)。無(wú)功補(bǔ)償是指在電力系統(tǒng)中,通過(guò)控制無(wú)功功率的流動(dòng)來(lái)改善系統(tǒng)的功率因數(shù)和電壓質(zhì)量,提高電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和...
2023-08-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體無(wú)功補(bǔ)償SVG 2971 0
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無(wú)法比擬的材料性能優(yōu)勢(shì),從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場(chǎng)等特性來(lái)看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...
芯片封裝是指芯片在框架或基板上布局、粘貼固定和連接,經(jīng)過(guò)接線端后用塑封固定,形成立體結(jié)構(gòu)的工藝。下面宇凡微給大家來(lái)了解一下芯片封裝。
半導(dǎo)體前端工藝:沉積——“更小、更多”,微細(xì)化的關(guān)鍵
在半導(dǎo)體制程中,移除殘余材料的“減法工藝”不止“刻蝕”一種,引入其他材料的“加法工藝”也非“沉積”一種。比如,光刻工藝中的光刻膠涂敷,其實(shí)也是在基底上形...
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