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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(簡(jiǎn)稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件,圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖,即在P型硅基片上有兩個(gè) N+擴(kuò)散區(qū),其中一個(gè)稱源,用S表示,...
結(jié)構(gòu)函數(shù)的由來(lái)及推導(dǎo)過(guò)程
在前面的《T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-雙界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)》文章中,我們介紹了結(jié)構(gòu)函數(shù)的一些應(yīng)用雙界面分離法測(cè)試RJc,結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用于產(chǎn)品內(nèi)...
SOA半導(dǎo)體光放大器應(yīng)用于PON拉遠(yuǎn)
什么是PON網(wǎng)絡(luò) PON是英文Passive Optical Network(無(wú)源光網(wǎng)絡(luò))的簡(jiǎn)稱。具有帶寬大,可擴(kuò)展性好,節(jié)省主干光纖等特點(diǎn)。PON網(wǎng)絡(luò)...
超結(jié)VDMOS的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。
2023-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體工藝技術(shù) 6731 0
晶閘管又叫可控硅,是半導(dǎo)體閘流管的簡(jiǎn)稱。晶閘管是一種大功率的PNPN型4層3端元件,可以把交流電變換成電壓大小可調(diào)的脈動(dòng)直流電,也可把直流電轉(zhuǎn)換成交流電...
10A!專為汽車車身域而生的大電流馬達(dá)驅(qū)動(dòng)TMI8122-Q1
拓爾微TMI8122-Q1專為智能汽車車身域打造,峰值電流高達(dá)10A,有著更強(qiáng)的電流能力,適用于汽車后視鏡折疊、門鎖驅(qū)動(dòng)、隱藏式門把鎖等驅(qū)動(dòng)電流偏大的場(chǎng)合。
新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上,對(duì)于半導(dǎo)體器件的要求,不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢(shì),...
在上周的推文中,我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段:以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。(了...
2023-09-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1530 0
銅因具有優(yōu)良的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能,以及相比金、銀更為低廉的價(jià)格,被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品、電動(dòng)汽車等制造領(lǐng)域,電動(dòng)機(jī)、電池、傳感器以及線束和終端等產(chǎn)品都使用了大...
晶閘管(Thyristor,又稱Silicon Controlled Rectifier,簡(jiǎn)稱SCR)是一種大功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,具有四層結(jié)構(gòu),其中包括...
二極管天天都在用,你了解多少? 二極管是一種基本的電子元件,發(fā)明于100多年前。 1904年,在研制無(wú)線電時(shí),人們?cè)噲D將一種弱電振蕩轉(zhuǎn)換成弱直流電流,英...
基于鋸齒形石墨烯納米帶及其五元環(huán)衍生結(jié)構(gòu)的自旋卡諾電子學(xué)器件設(shè)計(jì)
為了減小界面處的晶格形變,提高電子透射性能,我們基于STGNR和5-STGNR納米帶,設(shè)計(jì)了全新的自旋卡諾電子學(xué)器件。采用非平衡態(tài)格林函數(shù)結(jié)合密度泛函理...
在外電場(chǎng)的推動(dòng)下,P區(qū)的多子“空穴”開(kāi)始向N區(qū)移動(dòng),與“負(fù)離子”中和;N區(qū)的多子“自由電子”向P區(qū)移動(dòng),與“正離子”中和,導(dǎo)致這內(nèi)電場(chǎng)里的電荷都被中和掉...
SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢(shì)
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理、化學(xué)和電學(xué)性能,在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對(duì)SiC碳化硅的基...
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