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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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利用實(shí)數(shù)建模簡(jiǎn)化混合信號(hào)驗(yàn)證流程
混合信號(hào)設(shè)計(jì)在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)飛速發(fā)展的過(guò)程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用?;旌闲盘?hào)設(shè)計(jì)將模擬與數(shù)字電路無(wú)縫集成至一個(gè) SoC 上,為用戶提供了顯著的性能、尺寸和能效優(yōu)勢(shì)。
英集芯IP6801為藍(lán)牙音箱提供無(wú)線充電方案的無(wú)線充電發(fā)射控制SOC芯片
英集芯IP6801專為藍(lán)牙音箱、臺(tái)燈、電子時(shí)鐘、小夜燈等便攜式電子設(shè)備提供無(wú)線充電解決方案的無(wú)線充電發(fā)射控制SOC芯片,集成了H橋驅(qū)動(dòng)模塊、ASK通訊解...
在半導(dǎo)體行業(yè),倒裝芯片(Flip Chip)技術(shù)以其高密度、高性能和短互連路徑等優(yōu)勢(shì),逐漸成為高性能集成電路(IC)封裝的主流選擇。倒裝芯片技術(shù)通過(guò)將芯...
英集芯IP2363應(yīng)用于手持電動(dòng)工具方案的大功率鋰電池充電SOC芯片
英集芯IP2363是一款應(yīng)用于手持電動(dòng)工具、儲(chǔ)能電源、音箱等充電方案的大功率鋰電池充電SOC芯片,內(nèi)置同步升降壓轉(zhuǎn)換器,支持2到5串的鋰電池組充電,涵蓋...
PCB三防對(duì)于提高PCB在各種復(fù)雜環(huán)境下的可靠性和使用壽命至關(guān)重要,在電子設(shè)備制造過(guò)程中是一項(xiàng)不可或缺的重要環(huán)節(jié)。
基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究
近日,在西安·曲江國(guó)際會(huì)議中心舉辦的2024中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十七屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)(CPEEC & CPSSC 20...
一文解析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識(shí)
先來(lái)了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識(shí),看完傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝對(duì)比后再來(lái)了解封裝裝備,最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對(duì)比 ? ? ? ? ? ...
一文解析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識(shí)
先來(lái)了解一下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條以及相關(guān)知識(shí),看完傳統(tǒng)封裝與先進(jìn)封裝對(duì)比后再來(lái)了解封裝裝備,最后看看核心封裝設(shè)備的梳理。 下圖為工藝對(duì)比 ? ? ? ? ? ...
使用Keithley 4200-SCS半導(dǎo)體表征系統(tǒng)進(jìn)行氧化物可靠性測(cè)試
氧化物完整性是一個(gè)重要的可靠性問(wèn)題,特別對(duì)于今天大規(guī)模集成電路的MOSFET器件, 其中氧化物厚度已經(jīng)縮放到幾個(gè)原子層。JEDEC 35標(biāo)準(zhǔn) (EIA/...
二極管(Diode)是一種常見(jiàn)的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路和設(shè)備中。
高功率半導(dǎo)體激光器的散熱秘籍:過(guò)渡熱沉封裝技術(shù)揭秘
高功率半導(dǎo)體激光器在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色,其廣泛應(yīng)用于工業(yè)加工、信息通信、醫(yī)療、生命科學(xué)等領(lǐng)域。然而,隨著輸出功率的不斷增加,高功率半導(dǎo)體激...
SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學(xué)計(jì)量比組成的晶體,因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能...
與Si材料相比,SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯,比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵,目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等,本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)...
英集芯IP5568專為無(wú)線充電寶設(shè)計(jì)的快充電源管理SOC芯片
英集芯IP5568是一款專為無(wú)線充電寶和快充移動(dòng)電源設(shè)計(jì)的電源管理SOC芯片,集成了無(wú)線充電發(fā)射與接收、多種快充協(xié)議、USB Power Deliver...
深視智能SCI系列光譜共焦位移傳感器對(duì)射測(cè)量半導(dǎo)體晶圓厚度
01項(xiàng)目背景晶圓作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)載體,其厚度的精確控制直接影響到芯片的性能、可靠性和最終產(chǎn)品的成品率。通過(guò)準(zhǔn)確的晶圓厚度測(cè)量,可以確保芯片在制造過(guò)程...
電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的隔離能力評(píng)估
電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動(dòng)器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色,特別是在應(yīng)對(duì)電氣化系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求時(shí)。隨著全球?qū)﹄娏?..
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來(lái),作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案,3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。
氧化鎵(Ga2O3)探測(cè)器是一種基于超寬禁帶半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器,主要用于日盲紫外光的探測(cè)。其獨(dú)特的物理化學(xué)特性使其在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域中展現(xiàn)出廣泛的前景。
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