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標簽 > 半導體
半導體( semiconductor),指常溫下導電性能介于導體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導體制作的器件。半導體是指一種導電性可受控制,范圍可從絕緣體至導體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。
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氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器,它們的特點和優(yōu)點都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進行比較和分析。 首先,從充電效率方面來看。...
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時依然無法觀察到失效點,這時候就需要對芯片進行進一步處理,對于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除,直至最...
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
隨著技術(shù)的快速發(fā)展,硅作為傳統(tǒng)半導體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料,成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中,我們將探討硅面臨的挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。
基于高溫退火非極性面氮化鋁單晶薄膜實現(xiàn)高性能聲學諧振器開發(fā)
氮化鋁(AlN)以其超寬禁帶寬度(~6.2 eV)和直接帶隙結(jié)構(gòu),與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導體材料被并稱為超寬禁帶半導體,與氮化鎵、碳化硅等第三代半...
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達成。但是,隨著GaN功率器件輻照強化及驅(qū)動方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會得到更大...
原位摻雜、擴散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹
半導體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴散和離子注入,這三種方式分別過程如何,有何區(qū)別呢?
2024-01-05 標簽:半導體電阻率MEMS技術(shù) 5199 0
集成電路芯片是現(xiàn)代電子設(shè)備中的核心部件,它們可以實現(xiàn)復雜的功能,如處理器、存儲器、傳感器等。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,集成電路芯片的種類和性能也在不斷提高...
一種用于2D/3D圖像處理算法的指令集架構(gòu)以及對應(yīng)的算法部署方法
二維(2D)和三維(3D)雙模視覺信息在自動駕駛、工業(yè)機器人、人機交互等前沿領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
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