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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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三極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件,在電子電路中起著至關(guān)重要的作用。
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管、可控硅等。晶體管具有檢波、整流、...
紫外發(fā)光二極管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)
紫外發(fā)光二極管是指可發(fā)出波長(zhǎng)約400nm的近紫外光的發(fā)光二極管(led)。
2024年,為提升國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)在全球范圍的影響力,促進(jìn)和記錄國(guó)內(nèi)芯片的技術(shù)、市場(chǎng)應(yīng)用進(jìn)程,特別策劃射頻芯片產(chǎn)品領(lǐng)域進(jìn)行調(diào)研。1移動(dòng)智能終端設(shè)備領(lǐng)域移動(dòng)智...
在半導(dǎo)體行業(yè)中,“die”,“device”,和“chip”這三個(gè)術(shù)語(yǔ)都可以用來(lái)指代芯片。
雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超...
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test, DPT)是一種測(cè)試方法,常用于評(píng)估和分析電力系統(tǒng)、電子設(shè)備、組件以及半導(dǎo)體器件的電氣特性。這種測(cè)試通過(guò)...
肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管,而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中...
ADI新型六位半集成式數(shù)字電壓測(cè)量模塊解決方案
俗話說(shuō)“差之毫厘,謬以千里”,在當(dāng)下精密工業(yè)領(lǐng)域,儀表測(cè)量的精確性直接影響生產(chǎn)過(guò)程中的自動(dòng)化控制水平及設(shè)備工作的安全可靠性。電壓,作為電力系統(tǒng)中的基本參...
如何用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進(jìn)行斜坡法準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量?
電容電壓(C-V)測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù),被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V(或QSCV)測(cè)量,因?yàn)樗鼈兪窃诜浅5偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的,...
NTC是Negative Temperature Coefficient 的縮寫,意思是負(fù)的溫度系數(shù),泛指負(fù)溫度系數(shù)很大的半導(dǎo)體材料或元器件,通常我們提...
隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問(wèn)題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點(diǎn)。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...
光電三極管的工作原理 光電三極管的典型應(yīng)用電路分享
光電三極管是一種**晶體管,它有三個(gè)電極,其中基極未引出。當(dāng)光照強(qiáng)弱變化時(shí),電極之間的電阻會(huì)隨之變化。
為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片,而非Si MOSFET?
英飛凌作為電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)先企業(yè),其取得的一大顯著成就是,開發(fā)了用于集成功率模塊(IPM)的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)...
什么是具有節(jié)能效果的逆變器?為什么必須要使逆變器更加節(jié)能?
隨著向無(wú)碳社會(huì)的推進(jìn)以及能源的短缺,全球?qū)稍偕茉醇挠韬裢瑢?duì)不斷提高能源利用效率并改進(jìn)逆變器技術(shù)(節(jié)能的關(guān)鍵)提出了更高要求。
2024-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換工逆變器 981 0
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有...
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