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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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電阻型半導(dǎo)體氣敏傳感器是一種利用半導(dǎo)體材料對(duì)特定氣體的吸附和解吸特性來(lái)檢測(cè)氣體濃度的傳感器。它們通常由敏感材料、電極、封裝材料和電子電路等組成。下面將介...
氣敏電阻是一種特殊的電阻器,其電阻值會(huì)隨著周圍氣體成分的變化而變化。這種特性使得氣敏電阻在氣體檢測(cè)和環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。氣敏電阻通常由半導(dǎo)體材...
氣敏電阻,也稱為氣敏元件或氣體傳感器,是一種能夠檢測(cè)特定氣體濃度變化的傳感器。它們廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)安全、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。氣敏電阻的工作...
氣敏傳感器是一種檢測(cè)特定氣體或氣體濃度的傳感器,廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)安全、醫(yī)療診斷等領(lǐng)域。 1. 金屬氧化物半導(dǎo)體傳感器(MOS) 金屬氧化物半導(dǎo)體...
LED燈,即發(fā)光二極管燈,是一種半導(dǎo)體發(fā)光器件,其工作原理是利用半導(dǎo)體材料的電致發(fā)光效應(yīng)。 負(fù)載類型 在電氣工程中,負(fù)載通常根據(jù)其電流與電壓的關(guān)系來(lái)分類...
基于Achronix Speedster7t FPGA器件的AI基準(zhǔn)測(cè)試
Achronix半導(dǎo)體公司推出了為AI優(yōu)化的Speedster7t系列FPGA芯片,該系列包含專門針對(duì)AI工作負(fù)載的強(qiáng)化計(jì)算引擎。隨著AI在各個(gè)領(lǐng)域變得...
BT151可控硅一般不能直接代替MCR100 。這是因?yàn)镸CR100-6和BT151是兩種不同的產(chǎn)品,它們?cè)谖锢韰?shù)、功能特性以及應(yīng)用領(lǐng)域上存在差異。 ...
mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2629 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的連續(xù)漏極電...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源極之間的pn結(jié)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)柵源極之間的PN結(jié)是其核心組成部分之一,對(duì)于理解JFET的工作原理和特性至關(guān)重要。以下是對(duì)該P(yáng)N結(jié)的介紹: 一、PN結(jié)的形成與特...
2024-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管源極 606 0
深視智能SE1對(duì)射型邊緣測(cè)量傳感器助力半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)
晶圓對(duì)位半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備主要用于半導(dǎo)體制造過(guò)程中檢測(cè)芯片性能與缺陷,貫穿于半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中,可分為晶圓制造環(huán)節(jié)的檢測(cè)設(shè)備和封測(cè)環(huán)節(jié)的檢測(cè)設(shè)備。晶圓對(duì)位校準(zhǔn)...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子電路...
電子負(fù)載是一種通過(guò)電子元件(如功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管IGBT等功率半導(dǎo)體器件)吸收并消耗電能的設(shè)備。它不同于傳統(tǒng)的電阻負(fù)載,通過(guò)控...
PMOS(P-type Metal-Oxide-Semiconductor)晶體管,即P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是電子電路中常用的關(guān)鍵元件之一。...
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的開(kāi)關(guān)...
2024-09-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)損耗 874 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化層半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)作為電子工...
共基極放大器和共發(fā)射極放大器是電子電路中常見(jiàn)的兩種放大器配置,它們?cè)谛阅?、特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下是對(duì)這兩種放大器區(qū)別的詳細(xì)闡述。
2024-09-14 標(biāo)簽:放大器半導(dǎo)體共發(fā)射極放大器 824 0
識(shí)別NPN和PNP三極管是電子學(xué)中的一項(xiàng)基本技能,對(duì)于理解和設(shè)計(jì)電子電路至關(guān)重要。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)介紹如何識(shí)別這兩種類型的三極管。
在判斷晶體管是NPN型還是PNP型時(shí),主要依據(jù)是其內(nèi)部半導(dǎo)體材料的排列方式以及電流在晶體管中的流動(dòng)方向。闡述如何根據(jù)三個(gè)電流(通常指的是發(fā)射極電流IE、...
晶體管的極性,是一個(gè)在電子學(xué)領(lǐng)域具有基礎(chǔ)且重要意義的概念。為了全面闡述晶體管的極性,我們需要從其定義、分類、工作原理、極性的具體表現(xiàn)以及在實(shí)際應(yīng)用中的意...
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