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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

科普:電子入門基礎(chǔ)知識之各種電容器的識別

各種電容器的識別圖

2016-05-30 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體膽電容 1.9萬 0

氮化鎵 (GaN) 技術(shù):屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝及最新進(jìn)展

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本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) :其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 :為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)...

2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.9萬 0

氧化鎵在電子器件應(yīng)用的現(xiàn)狀和潛在發(fā)展

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氧化鎵應(yīng)用范圍從實(shí)現(xiàn)可用到可靠的組件,最后再到可插入可持續(xù)市場基礎(chǔ)設(shè)施等各個(gè)方面。但Ga2O3還是存在一個(gè)重要的直接缺點(diǎn):它的導(dǎo)熱率很低(10-30 W...

2019-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9萬 0

關(guān)于二極管的PN結(jié)的知識介紹

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PN結(jié)形成當(dāng)把P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在一起時(shí),在它們的交界面處,由于兩種半導(dǎo)體多數(shù)載流子的濃度差很大,因此P區(qū)的空穴會向N區(qū)擴(kuò)散,同時(shí),N區(qū)的自由電...

2018-05-07 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體PN結(jié) 1.9萬 1

什么是MOS管?MOS管的特點(diǎn)有哪些?

什么是MOS管?MOS管的特點(diǎn)有哪些?

? 什么是MOS管? MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisto...

2023-08-01 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 1.8萬 0

量子級聯(lián)激光器的工作原理、結(jié)構(gòu)及應(yīng)用優(yōu)勢

量子級聯(lián)激光器(QCL)是一種借助于聲子輔助共振遂穿原理和電子在半導(dǎo)體量子阱中導(dǎo)帶子帶間躍遷的新型單極半導(dǎo)體器件。

2019-12-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器輻射 1.8萬 0

搞懂MOS管:MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

搞懂MOS管:MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

由上圖結(jié)構(gòu)我們可以看到 MOS 管類似三極管,也是背靠背的兩個(gè)PN結(jié)!三極管的原理是在偏置的情況下注入電流到很薄的基區(qū)通過電子-空穴復(fù)合來控制CE之間的...

2019-05-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體元器件MOS管 1.8萬 0

當(dāng)前有哪些主流的半導(dǎo)體封裝形式四種主流封裝形式詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。封裝技術(shù)是一種將集成電路用絕緣的塑料或陶瓷材料打包的技術(shù)。以CPU為例,實(shí)際...

2019-05-03 標(biāo)簽:PCB半導(dǎo)體CPU 1.8萬 0

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀如何?一窺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀如何?一窺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀

那么,半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵原材料有哪些?半導(dǎo)體設(shè)備由哪些廠商占領(lǐng)?我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀如何?下面小編就這些問題做了相關(guān)梳理,一窺半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀。

2018-06-07 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 1.8萬 0

中國半導(dǎo)體發(fā)展有什么樣的問題?中國半導(dǎo)體發(fā)展的7大困境

在半導(dǎo)體這個(gè)領(lǐng)域,中國需要挑戰(zhàn)的是,西方上百年積累起來的工業(yè)體系。 中國半導(dǎo)體一直是在冒著敵人的炮火匍匐前進(jìn),如今,敵人的炮火越來越兇猛。圍追堵截中,...

2018-07-15 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 1.8萬 0

如何判定一種材料是金屬、半導(dǎo)體或者絕緣體?

如何判定一種材料是金屬、半導(dǎo)體或者絕緣體?

晶體中固有非簡諧性使得聲子與聲子之間存在著相互作用(能量交換),從而發(fā)生散射。這種散射可以覆蓋全頻率段聲子,而非簡諧性的強(qiáng)弱常常與原子偏離其平衡位置的程...

2018-05-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體熱電熱力學(xué) 1.8萬 0

扇出型晶圓級封裝是什么?有哪些優(yōu)點(diǎn)?

伴隨FOWLP,如今我們才有能力在這些模片上嵌入一些異構(gòu)設(shè)備包括基帶處理器,射頻收發(fā)器和電源管理IC,從而實(shí)現(xiàn)了最新一代的超薄可穿戴和移動無線設(shè)備。因?yàn)?..

2018-08-27 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝 1.8萬 0

半導(dǎo)體晶圓材料的基本框架與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈流程

半導(dǎo)體晶圓材料的基本框架與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈流程

晶圓制備包括襯底制備和外延工藝兩大環(huán)節(jié)。襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以...

2018-08-28 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體晶圓 1.8萬 0

關(guān)于IGBT的全面介紹

關(guān)于IGBT的全面介紹

電的發(fā)現(xiàn)是人類歷史的革命,由它產(chǎn)生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。

2019-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT 1.7萬 0

縱向加速度傳感器工作原理介紹

車身縱向加速度傳感器的作用是檢測車輛起步加速或制動減速時(shí)車輛發(fā)生“抬頭”或“點(diǎn)頭”的現(xiàn)象,以控制前、后軸ADS阻尼力的調(diào)節(jié),從而提供最優(yōu)異的乘坐舒適性 ...

2018-08-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體傳感元件加速度傳感器 1.7萬 0

一文詳細(xì)了解三極管

三極管(BJT)是一種電流控制型半導(dǎo)體器件,由兩個(gè)PN結(jié)組成,兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。

2022-09-06 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體pnp 1.7萬 0

光敏電阻具有什么特點(diǎn)

光敏電阻具有什么特點(diǎn)

光敏電阻器是利用半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)制成的一種電阻值隨入射光的強(qiáng)弱而改變的電阻器,又稱為光電導(dǎo)探測器;入射光強(qiáng),電阻減小,入射光弱,電阻增大。還有另一種入...

2018-01-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻器光敏電阻 1.7萬 0

晶圓制造環(huán)節(jié)中最核心的高難度材料是什么?

晶圓制造環(huán)節(jié)中最核心的高難度材料是什么?

半導(dǎo)體內(nèi)部是由長達(dá)數(shù)萬米的金屬配線而組成,而濺射靶材則是用于制作這些配線的關(guān)鍵消耗材料。如蘋果A10處理器,指甲蓋大小的芯片上密布著上萬米金屬導(dǎo)線,這些...

2018-06-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈晶圓制造 1.7萬 0

第三代半導(dǎo)體電力電子器件和產(chǎn)業(yè)趨勢詳解

第三代半導(dǎo)體電力電子器件和產(chǎn)業(yè)趨勢詳解

本文首先介紹了第3代半導(dǎo)體主要應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展概況,其次介紹了第三代半導(dǎo)體電力電子器件和產(chǎn)業(yè)趨勢,具體的跟隨小編一起來了解一下。

2018-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電力電子器件 1.7萬 0

NMOS管的原理介紹及結(jié)構(gòu)

NMOS管的原理介紹及結(jié)構(gòu)

  NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。

2023-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體NMOS晶體管 1.7萬 0

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